MMBF4391LT1G
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) | 50mA @ 15V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| FET Type | N-Channel |
| Voltage - Breakdown (V(BR)GSS) | 30V |
| Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id | 4V @ 10nA |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 14pF @ 15V |
| Resistance - RDS(On) | 30 Ohm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Корпус | SOT-23-3 |
| Power - Max | 225mW |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
ADG412BN | ANALOG DEVICES |
|
|
||||
|
|
ADG412BN |
|
420.00 | |||||
|
|
ADG412BN | Analog Devices Inc |
|
|
||||
 |
BUF634U |
|
Высокоскоростной буфер I=250mA | TEXAS INSTRUMENTS |
|
|
||
|
|
BUF634U |
|
Высокоскоростной буфер I=250mA | BURR-BROWN |
|
|
||
|
|
BUF634U |
|
Высокоскоростной буфер I=250mA |
|
|
|||
|
|
BUF634U |
|
Высокоскоростной буфер I=250mA | TEXAS |
|
|
||
| MAX44246ASA+ | MAX |
|
|
|||||
| MAX44246ASA+ |
|
|
||||||
| MAX44246ASA+ | MAXIM |
|
|
|||||
| MMBF4393LT1G | 16 | 90.00 | ||||||
| MMBF4393LT1G | ON SEMICONDUCTOR |
|
|
|||||
| MMBF4393LT1G | ONS |
|
|
|||||
| MMBF4393LT1G | ON SEMICONDUCTOR |
|
|
|||||
| MMBF4393LT1G | ONS-FAIR |
|
|
|||||
| NB3N502DG | ON SEMICONDUCTOR |
|
|
|||||
| NB3N502DG |
|
433.60 | ||||||
| NB3N502DG | ONS |
|
|
|||||
| NB3N502DG | ON SEMICONDUCTOR | 28 |
|
|||||
| NB3N502DG | ONSEMI | 1 | 1 228.01 |
