|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
1N914 |
|
Диод S-D 100В, 75мА, 0.5Вт, DO35
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N914 |
|
Диод S-D 100В, 75мА, 0.5Вт, DO35
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N914 |
|
Диод S-D 100В, 75мА, 0.5Вт, DO35
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
1N914 |
|
Диод S-D 100В, 75мА, 0.5Вт, DO35
|
ROHM
|
|
|
|
|
|
1N914 |
|
Диод S-D 100В, 75мА, 0.5Вт, DO35
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
1N914 |
|
Диод S-D 100В, 75мА, 0.5Вт, DO35
|
TELEFUNKEN
|
|
|
|
|
|
1N914 |
|
Диод S-D 100В, 75мА, 0.5Вт, DO35
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
1N914 |
|
Диод S-D 100В, 75мА, 0.5Вт, DO35
|
FAIRCHILD
|
946
|
|
|
|
|
1N914 |
|
Диод S-D 100В, 75мА, 0.5Вт, DO35
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N914 |
|
Диод S-D 100В, 75мА, 0.5Вт, DO35
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N914 |
|
Диод S-D 100В, 75мА, 0.5Вт, DO35
|
OTHER
|
|
|
|
|
|
1N914 |
|
Диод S-D 100В, 75мА, 0.5Вт, DO35
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
1N914 |
|
Диод S-D 100В, 75мА, 0.5Вт, DO35
|
ROHM
|
|
|
|
|
|
1N914 |
|
Диод S-D 100В, 75мА, 0.5Вт, DO35
|
TELEFUNKEN
|
114
|
|
|
|
|
1N914 |
|
Диод S-D 100В, 75мА, 0.5Вт, DO35
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
1N914 |
|
Диод S-D 100В, 75мА, 0.5Вт, DO35
|
ITT
|
|
|
|
|
|
1N914 |
|
Диод S-D 100В, 75мА, 0.5Вт, DO35
|
ITT INTERCONNECT SOLUTIONS
|
|
|
|
|
|
1N914 |
|
Диод S-D 100В, 75мА, 0.5Вт, DO35
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
1N914 |
|
Диод S-D 100В, 75мА, 0.5Вт, DO35
|
ONS
|
|
|
|
|
|
1N914 |
|
Диод S-D 100В, 75мА, 0.5Вт, DO35
|
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
SAMSUNG
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
DC COMPONENTS
|
4 256
|
3.02
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
UTC
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
ИНТЕГРАЛ
|
400
|
11.73
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
DIOTEC
|
2 984
|
3.15
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
KOREA ELECTRONICS CORPORATION
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
OTHER
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
SAMSUNG
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
FSC
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
KEC AMERICA (USD)
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
|
23 264
|
1.44
>100 шт. 0.72
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
ON SEMICONDUCTOR
|
26
|
9.69
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
CJ
|
4
|
2.18
|
|
|
|
MAC9D |
|
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MAC9D |
|
|
ON SEMICONDUCTOR
|
1 324
|
|
|
|
|
MMBT5087LT1 |
|
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MMBT5087LT1 |
|
|
|
|
|
|
|
|
MMBT5087LT1 |
|
|
ON SEMICONDUCTOR
|
76
|
|
|
|
|
MMBT5087LT1 |
|
|
|
|
|
|
|
|
MMBT5087LT1 |
|
|
ONS
|
1
|
6.30
|
|