|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
IR21844S |
|
Драйвер полумостовой. Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=1.4A/1.8A, Тбл=500нс
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IR21844S |
|
Драйвер полумостовой. Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=1.4A/1.8A, Тбл=500нс
|
|
|
483.24
|
|
|
|
IR21844S |
|
Драйвер полумостовой. Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=1.4A/1.8A, Тбл=500нс
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
12
|
|
|
|
|
IR21844S |
|
Драйвер полумостовой. Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=1.4A/1.8A, Тбл=500нс
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
IRFP064N |
|
Мощный N-канальный MOSFET транзистор N-MOSFET 55В, 110А, 200Вт
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
233
|
125.70
|
|
|
|
IRFP064N |
|
Мощный N-канальный MOSFET транзистор N-MOSFET 55В, 110А, 200Вт
|
|
1 051
|
109.45
|
|
|
|
IRFP064N |
|
Мощный N-канальный MOSFET транзистор N-MOSFET 55В, 110А, 200Вт
|
ФИЛИППИНЫ
|
|
|
|
|
|
IRFP064N |
|
Мощный N-канальный MOSFET транзистор N-MOSFET 55В, 110А, 200Вт
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
IRFP064N |
|
Мощный N-канальный MOSFET транзистор N-MOSFET 55В, 110А, 200Вт
|
1
|
|
|
|
|
|
IRFP064N |
|
Мощный N-канальный MOSFET транзистор N-MOSFET 55В, 110А, 200Вт
|
EVVO
|
1 537
|
99.10
|
|
|
|
IRFP064NPBF |
|
Мощный N-канальный MOSFET транзистор N-MOSFET 55В, 110А, 200Вт
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRFP064NPBF |
|
Мощный N-канальный MOSFET транзистор N-MOSFET 55В, 110А, 200Вт
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
IRFP064NPBF |
|
Мощный N-канальный MOSFET транзистор N-MOSFET 55В, 110А, 200Вт
|
|
800
|
93.18
|
|
|
|
IRFP1405 |
|
Hexfet power mosfets discrete n-channel
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRFP1405 |
|
Hexfet power mosfets discrete n-channel
|
|
720
|
99.96
|
|
|
|
IRFP1405 |
|
Hexfet power mosfets discrete n-channel
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
LM5110-1M |
|
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
LM5110-1M |
|
|
NSC
|
|
|
|
|
|
LM5110-1M |
|
|
|
|
144.56
|
|
|
|
LM5110-1M |
|
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
LM5110-1M |
|
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
LM5110-1M |
|
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|