AT24C08C-SSHM-T
|
|
Версия для печати
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BZX384-C5V1 | PHILIPS |
|
|
||||
|
|
BZX384-C5V1 | NXP |
|
|
||||
|
|
BZX384-C5V1 |
|
5.80 | |||||
|
|
BZX384-C5V1 | PHILIPS | 1 103 |
|
||||
 |
|
IRF9640PBF |
|
P-канальный полевой транзистор 200В, 11A, 0.5 Ом (max), 125Вт. | VISHAY | 11 | 56.71 | |
|
|
|
IRF9640PBF |
|
P-канальный полевой транзистор 200В, 11A, 0.5 Ом (max), 125Вт. |
|
|
||
|
|
|
IRF9640PBF |
|
P-канальный полевой транзистор 200В, 11A, 0.5 Ом (max), 125Вт. | Vishay/Siliconix |
|
|
|
|
|
|
IRF9640PBF |
|
P-канальный полевой транзистор 200В, 11A, 0.5 Ом (max), 125Вт. | VISHAY/IR |
|
|
|
|
|
|
IRF9640PBF |
|
P-канальный полевой транзистор 200В, 11A, 0.5 Ом (max), 125Вт. | INTERNATIONAL RECTIFIER |
|
|
|
|
|
|
IRF9640PBF |
|
P-канальный полевой транзистор 200В, 11A, 0.5 Ом (max), 125Вт. | 0.00 |
|
|
|
| LD1117S33C | ST MICROELECTRONICS |
|
|
|||||
| LD1117S33C |
|
|
||||||
| MURS240T3G | ON SEMICONDUCTOR |
|
|
|||||
| MURS240T3G | ONS |
|
|
|||||
| MURS240T3G | 1 440 | 1.70 | ||||||
| MURS240T3G | ON SEMICONDUCTO |
|
|
|||||
| MURS240T3G | 1 440 | 1.70 | ||||||
| TS5A3166DBVR | TEXAS INSTRUMENTS | 1 808 | 27.35 | |||||
| TS5A3166DBVR | 3 835 | 22.09 | ||||||
| TS5A3166DBVR | TEXAS |
|
|
|||||
| TS5A3166DBVR | TEXAS INSTRUMENTS | 1 000 |
|
|||||
| TS5A3166DBVR | TEXAS INSTRUMEN |
|
|
|||||
| TS5A3166DBVR | 1 |
|
|
