Версия для печати
Технические характеристики MMBTA06LT1G

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Transistor Type	NPN
Current - Collector (Ic) (Max)	500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	80V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max)	100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	100 @ 100mA, 1V
Power - Max	225mW
Frequency - Transition	100MHz
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Корпус	SOT-23-3
Product Change Notification	Wire Change 08/May/2007 Possible Adhesion Issue 11/July/2008

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

 » 

Транзисторы (биполярные) - одиночные

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		BC850B		Транзистор биполярный SMD NPN 45V, 0,1A, 0,25W, B:200-450		111	6.00
		BC850B		Транзистор биполярный SMD NPN 45V, 0,1A, 0,25W, B:200-450	FAIR
		BC850B		Транзистор биполярный SMD NPN 45V, 0,1A, 0,25W, B:200-450	PHILIPS
		BC850B		Транзистор биполярный SMD NPN 45V, 0,1A, 0,25W, B:200-450	NXP
		BC850B		Транзистор биполярный SMD NPN 45V, 0,1A, 0,25W, B:200-450	DIOTEC
		BC850B		Транзистор биполярный SMD NPN 45V, 0,1A, 0,25W, B:200-450	FAIRCHILD
		BC850B		Транзистор биполярный SMD NPN 45V, 0,1A, 0,25W, B:200-450	FAIRCHILD
		BC850B		Транзистор биполярный SMD NPN 45V, 0,1A, 0,25W, B:200-450	NXP	1 877
		BC850B		Транзистор биполярный SMD NPN 45V, 0,1A, 0,25W, B:200-450	PHILIPS
		BC850B		Транзистор биполярный SMD NPN 45V, 0,1A, 0,25W, B:200-450	SUNTAN
		BC850B		Транзистор биполярный SMD NPN 45V, 0,1A, 0,25W, B:200-450	SEMTECH	256	2.20
		BC860B		Транзистор биполярный PNP 45V 0,1A 0,25W B:220-475			4.48
		BC860B		Транзистор биполярный PNP 45V 0,1A 0,25W B:220-475	PHILIPS
		BC860B		Транзистор биполярный PNP 45V 0,1A 0,25W B:220-475	NXP
		BC860B		Транзистор биполярный PNP 45V 0,1A 0,25W B:220-475	NXP
		BC860B		Транзистор биполярный PNP 45V 0,1A 0,25W B:220-475	PHILIPS
		BC860B		Транзистор биполярный PNP 45V 0,1A 0,25W B:220-475	ГЕРМАНИЯ
		BC860B		Транзистор биполярный PNP 45V 0,1A 0,25W B:220-475	INFINEON
		MMBTA56LT1G			ON SEMICONDUCTOR
		MMBTA56LT1G					8.00
		MMBTA56LT1G			ON SEMICONDUCTOR	3 246
		MMBTA56LT1G			ONS
		MMBTA56LT1G			0.00
		NCP1055ST100T3G		Микросхема импульсного ИП (AC/DC) с встроенным силовым ключом в корпусе SOT-223	ONS	8	94.46
		NCP1055ST100T3G		Микросхема импульсного ИП (AC/DC) с встроенным силовым ключом в корпусе SOT-223	ON SEMICONDUCTOR
		NCP1055ST100T3G		Микросхема импульсного ИП (AC/DC) с встроенным силовым ключом в корпусе SOT-223		1	187.20
		NCP1055ST100T3G		Микросхема импульсного ИП (AC/DC) с встроенным силовым ключом в корпусе SOT-223	ON SEMICONDUCTO
		КТ209К		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный с ...		800	14.00
		КТ209К		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный с ...	КРЕМНИЙ	800	16.83
		КТ209К		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный с ...	ПЛАНЕТА	800	11.73
		КТ209К		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный с ...	БРЯНСК	3 035	16.20
		КТ209К		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный с ...	МИНСК	1 720	15.60
		КТ209К		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный с ...	ЭЛЕКС
		КТ209К		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный с ...	АЛЕКСАНДРОВ
		КТ209К		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный с ...	ИНТЕГРАЛ
		КТ209К		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный с ...	КРЕМН
		КТ209К		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный с ...	КРЕМНИЙ ЭЛ	1	4.29

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2024 АО "Контест"