Версия для печати
Технические характеристики NRF24L01P-R

Производитель	NORDIC SEMICONDUCTOR ASA
Количество в упаковке	4000 шт.
Вес	0.187 г
Степень готовности решения	CHIP
Частотный диапазон	2.4 ГГц
Направление передачи данных	Transceiver
Тип стандарта	Proprietary
Интерфейс	SPI
Скорость связи	2048 кбит/с
Напряжение питания	1.9…3.6 В
Чувствительность приёмника	-85 дБм
Размер	4.0x4.0 мм
	Высокоскоростной пакетный трансивер

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		ATMEGA8-16PU		8- бит ный AVR RISC микроконтроллер (8K ISP Flash, 512 bytes EEPROM, 1K SRAM, 32x8 ...	ATMEL
		ATMEGA8-16PU		8- бит ный AVR RISC микроконтроллер (8K ISP Flash, 512 bytes EEPROM, 1K SRAM, 32x8 ...			496.00
		ATMEGA8-16PU		8- бит ный AVR RISC микроконтроллер (8K ISP Flash, 512 bytes EEPROM, 1K SRAM, 32x8 ...	КОРЕЯ РЕСПУБЛИК
		ATMEGA8-16PU		8- бит ный AVR RISC микроконтроллер (8K ISP Flash, 512 bytes EEPROM, 1K SRAM, 32x8 ...	ATMEL CORPORATION	172
		ATMEGA8-16PU		8- бит ный AVR RISC микроконтроллер (8K ISP Flash, 512 bytes EEPROM, 1K SRAM, 32x8 ...	ATMEL1
		ATMEGA8-16PU		8- бит ный AVR RISC микроконтроллер (8K ISP Flash, 512 bytes EEPROM, 1K SRAM, 32x8 ...	MICRO CHIP
		ATMEGA8-16PU		8- бит ный AVR RISC микроконтроллер (8K ISP Flash, 512 bytes EEPROM, 1K SRAM, 32x8 ...	1
		BAV99LT1G		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	ON SEMICONDUCTOR
		BAV99LT1G		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	LESHAN RADIO COMPANY
		BAV99LT1G		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	NXP
		BAV99LT1G		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	ONS	1	1.67
		BAV99LT1G		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)		14
		BAV99LT1G		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	LESHAN RADIO COMPANY, LTD
		BAV99LT1G		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	ON SEMICONDUCTOR	11 847
		BAV99LT1G		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	ON SEMICONDUCTO
		BAV99LT1G		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	ONSEMICONDUCTOR
		BAV99LT1G		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	LRC
		BAV99LT1G		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	ONSEMI
		BAV99LT1G		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	FUXIN	40 164	1.02
		CC0603KRX7R9BB104		Керамический ЧИП конденсатор 0.1 мкФ, Х7R, 10%, 0603	YAGEO	10 687 832	0.84  >500 шт.   0.28
		CC0603KRX7R9BB104		Керамический ЧИП конденсатор 0.1 мкФ, Х7R, 10%, 0603	PHY
		CC0603KRX7R9BB104		Керамический ЧИП конденсатор 0.1 мкФ, Х7R, 10%, 0603		3
		CC0603KRX7R9BB104		Керамический ЧИП конденсатор 0.1 мкФ, Х7R, 10%, 0603	ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
		CC0603KRX7R9BB104		Керамический ЧИП конденсатор 0.1 мкФ, Х7R, 10%, 0603	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		CC0603KRX7R9BB104		Керамический ЧИП конденсатор 0.1 мкФ, Х7R, 10%, 0603	YAGEO	2 206
		CC0603KRX7R9BB104		Керамический ЧИП конденсатор 0.1 мкФ, Х7R, 10%, 0603	СКЛАД
		CC0603KRX7R9BB104		Керамический ЧИП конденсатор 0.1 мкФ, Х7R, 10%, 0603	PHYCOMP
		RC0603JR-07180RL			YAGEO	13 983	0.65  >1000 шт.   0.13
		RC0603JR-07180RL			YAGEO
		RC0603JR-07180RL
		SN74LVC1G17DBVR			TEXAS INSTRUMENTS
		SN74LVC1G17DBVR			TEXAS INSTRUMENTS
		SN74LVC1G17DBVR				9 600	5.23
		SN74LVC1G17DBVR			TEXAS
		SN74LVC1G17DBVR			TEXAS INSTRUMEN
		SN74LVC1G17DBVR			YOUTAI

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"