Версия для печати
Технические характеристики MC33074ADG

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Тип усилителя	General Purpose
Число каналов	4
Скорость нарастания выходного напряжения	13 V/µs
Полоса пропускания	4.5MHz
Ток - входного смещения	100nA
Напряжение входного смещения	500µV
Ток выходной	1.9mA
Ток выходной / канал	30mA
Напряжение-выходное, Single/Dual (±)	3 V ~ 44 V, ±1.5 V ~ 22 V
Рабочая температура	-40°C ~ 85°C
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Корпус	14-SOIC

MC33074ADG datasheet

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Микросхемы

 » 

Обработка сигналов

 » 

Усилители

 » 

Операционные, буферные усилители

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		VS-10MQ060NTRPBF		Диод Шоттки выпрямительный 2.1А, 60В, 40А	VISHAY
		VS-10MQ060NTRPBF		Диод Шоттки выпрямительный 2.1А, 60В, 40А	VISHAY	3 556
		VS-10MQ060NTRPBF		Диод Шоттки выпрямительный 2.1А, 60В, 40А	VISHAY/IR
		VS-10MQ060NTRPBF		Диод Шоттки выпрямительный 2.1А, 60В, 40А		6 600	6.43
		VS-10MQ060NTRPBF		Диод Шоттки выпрямительный 2.1А, 60В, 40А	DIODE SCHOTTKY 60V 1A SURFACE MOUNT SMA
		2SK2056		Транзистор полевой	TOSHIBA	40	264.60
		2SK2056		Транзистор полевой		1	158.76
		2SK2056		Транзистор полевой	TOS
		2SK2056		Транзистор полевой	ТАИЛАНД
		IRFPF40		Транзистор полевой N-MOS 900V, 4.7A, 150W	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRFPF40		Транзистор полевой N-MOS 900V, 4.7A, 150W	VISHAY
		IRFPF40		Транзистор полевой N-MOS 900V, 4.7A, 150W	SILICONIX
		IRFPF40		Транзистор полевой N-MOS 900V, 4.7A, 150W		8	462.50
		IRFPF40		Транзистор полевой N-MOS 900V, 4.7A, 150W	SILICONIX
		IRFPF40		Транзистор полевой N-MOS 900V, 4.7A, 150W	Vishay/Siliconix
		IRFPF40		Транзистор полевой N-MOS 900V, 4.7A, 150W	МЕКСИКА
		IRFPF40		Транзистор полевой N-MOS 900V, 4.7A, 150W	INTERNATIONAL RECTIFIER	16
		LM358D		Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц	NATIONAL SEMICONDUCTOR
		LM358D		Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц	TEXAS INSTRUMENTS	80	28.35
		LM358D		Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц	ON SEMICONDUCTOR
		LM358D		Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц	PHILIPS
		LM358D		Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц	ST MICROELECTRONICS	845	24.57
		LM358D		Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц			16.04
		LM358D		Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц	UTC
		LM358D		Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц	ON SEMICONDUCTOR
		LM358D		Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц	PHILIPS
		LM358D		Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц	ST MICROELECTRONICS SEMI
		LM358D		Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц	TEXAS INSTRUMENTS
		LM358D		Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц	STMicroelectronics
		LM358D		Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц	ГЕРМАНИЯ
		LM358D		Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц	КИТАЙ
		LM358D		Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц	TEXAS
		LM358D		Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц	STMICROELECTR
		LM358D		Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц	HTC TAEJIN
		LM358D		Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц	1
		LM358D		Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц	IDCHIP	2 525	2.58
		LM358D		Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц	4-7 НЕДЕЛЬ	777
		MMBT4401LT1G		(SMD) SOT23	ON SEMICONDUCTOR
		MMBT4401LT1G		(SMD) SOT23			24.00
		MMBT4401LT1G		(SMD) SOT23	ONS
		MMBT4401LT1G		(SMD) SOT23	ON SEMICONDUCTOR	130
		MMBT4401LT1G		(SMD) SOT23	ON SEMIC
		MMBT4401LT1G		(SMD) SOT23	ON SEMICONDUCTO
		MMBT4401LT1G		(SMD) SOT23	ONSEMICONDUCTOR

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"