Версия для печати
Технические характеристики SN74AC245N

Корпус	20-PDIP
Корпус (размер)	20-DIP (0.300", 7.62mm)
Тип монтажа	Выводной
Рабочая температура	-40°C ~ 85°C
Напряжение питания	2 V ~ 6 V
Ток выходной макс., мин.	24mA, 24mA
Число элементов	1
Число битов на элемент	8
Логический тип	Transceiver, Non-Inverting
Серия	74AC
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Микросхемы

 » 

Логические элементы

 » 

Буферы сигналов, драйверы, ретрансляторы, сплитеры

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		3296W-1К		Резистор переменный подстроечный непроволочный многооборотный	CHINA
		3296W-1К		Резистор переменный подстроечный непроволочный многооборотный			28.00
		3296W-1К		Резистор переменный подстроечный непроволочный многооборотный	CHINA NATIONAL
		3296W-1К		Резистор переменный подстроечный непроволочный многооборотный	0.00
		BAT42		Диод Шоттки 30V 0,2A DO35	NXP
		BAT42		Диод Шоттки 30V 0,2A DO35	ST MICROELECTRONICS	1 580	3.23
		BAT42		Диод Шоттки 30V 0,2A DO35	DC COMPONENTS
		BAT42		Диод Шоттки 30V 0,2A DO35			10.56
		BAT42		Диод Шоттки 30V 0,2A DO35	SGS
		BAT42		Диод Шоттки 30V 0,2A DO35	SGS THOMSON	210
		BAT42		Диод Шоттки 30V 0,2A DO35	ST MICROELECTRONICS SEMI	1 099
		BAT42		Диод Шоттки 30V 0,2A DO35	STMicroelectronics
		BAT42		Диод Шоттки 30V 0,2A DO35	ST MICROELECTRO
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)		17	42.00
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ST MICROELECTRONICS
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ON SEMICONDUCTOR
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ON SEMICONDUCTOR
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ST MICROELECTRONICS SEMI
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	STMICROELECTRONICS
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ST MICROELECTR
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ИНДИЯ
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	PILIPINES
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ST1
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ST MICROELECTRO
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	STMICROELECTR
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	CHANGJIANG
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	KLS
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	HOTTECH	12 764	10.82
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	CHINA
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	JSCJ	352	7.15
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	1
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ИМОРТ	95	16.00
		ISO124P		Изолирующий усилитель нелинейность 0.01% iso1500V	TEXAS INSTRUMENTS
		ISO124P		Изолирующий усилитель нелинейность 0.01% iso1500V			1 278.32
		ISO124P		Изолирующий усилитель нелинейность 0.01% iso1500V	BURR-BROWN
		ISO124P		Изолирующий усилитель нелинейность 0.01% iso1500V	TEXAS
		ISO124P		Изолирующий усилитель нелинейность 0.01% iso1500V	TEXAS INSTR
		ISO124P		Изолирующий усилитель нелинейность 0.01% iso1500V	ФИЛИППИНЫ
		ISO124P		Изолирующий усилитель нелинейность 0.01% iso1500V	ТАИЛАНД
		ISO124P		Изолирующий усилитель нелинейность 0.01% iso1500V	TEXAS INSTRUMEN
		JFV0A1224K150000B			JB	191	9.38
		JFV0A1224K150000B

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2024 АО "Контест"