IRF2903Z

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
IRF2903Z		310.00

Версия для печати

Технические характеристики IRF2903Z

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	HEXFET®
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.4 mOhm @ 75A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	75A
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 150µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	240nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	6320pF @ 25V
Power - Max	231W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-262-3 (Straight Leads)
Корпус	TO-262

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IRF2903Z (MOSFET)

HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel

Производитель:
International Rectifier (IRF)

IRF2903Z datasheet
418 Кб