IRG7PH50K10D

IGBT транзистор, 1200В, 90А, Частота 20кГц, 400Вт

IGBT транзистор, n канальный
Напряжение сток исток максимальное 1200В
Ток стока 90А
Частота 20кГц
Время нарастания 60нс
Время спада 90нс
Мощность 400Вт

Версия для печати

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IGBT транзистор, 1200В, 90А, Частота 20кГц, 400Вт

IRG7PH50K10D datasheet
552,39kB
13стр.

STRG6653
Р В Р’В Р вЂ™Р’В Р В РІР‚в„ўР вЂ™Р’В Р В Р’В Р Р†Р вЂљРІвЂћСћР В РІР‚в„ўР вЂ™Р’В Р В Р’В Р вЂ™Р’В Р В РІР‚в„ўР вЂ™Р’В Р В Р’В Р вЂ™Р’В Р В Р Р‹Р Р†Р вЂљРЎС™Р В Р’В Р вЂ™Р’В Р В РІР‚в„ўР вЂ™Р’В Р В Р’В Р Р†Р вЂљРІвЂћСћР В РІР‚в„ўР вЂ™Р’В Р В Р’В Р вЂ™Р’В Р В Р вЂ Р В РІР‚С™Р Р†РІР‚С›РЎС›Р В Р’В Р Р†Р вЂљРІвЂћСћР В РІР‚в„ўР вЂ™Р’ВР В Р’В Р вЂ™Р’В Р В РІР‚в„ўР вЂ™Р’В Р В Р’В Р Р†Р вЂљРІвЂћСћР В РІР‚в„ўР вЂ™Р’В Р В Р’В Р вЂ™Р’В Р В Р’В Р В РІР‚в„–Р В Р’В Р В Р вЂ№Р В Р вЂ Р Р†Р вЂљРЎвЂєР РЋРЎвЂє-Р В Р’В Р вЂ™Р’В Р В РІР‚в„ўР вЂ™Р’В Р В Р’В Р Р†Р вЂљРІвЂћСћР В РІР‚в„ўР вЂ™Р’В Р В Р’В Р вЂ™Р’В Р В Р’В Р В РІР‚в„–Р В Р’В Р В РІР‚В Р В Р’В Р Р†Р вЂљРЎв„ўР В Р Р‹Р РЋРЎв„ўР В Р’В Р вЂ™Р’В Р В РІР‚в„ўР вЂ™Р’В Р В Р’В Р Р†Р вЂљРІвЂћСћР В РІР‚в„ўР вЂ™Р’В Р В Р’В Р вЂ™Р’В Р В Р’В Р В РІР‚в„–Р В Р’В Р В РІР‚В Р В Р’В Р Р†Р вЂљРЎв„ўР В Р Р‹Р РЋРІР‚С”Р В Р’В Р вЂ™Р’В Р В РІР‚в„ўР вЂ™Р’В Р В Р’В Р Р†Р вЂљРІвЂћСћР В РІР‚в„ўР вЂ™Р’В Р В Р’В Р вЂ™Р’В Р В РІР‚в„ўР вЂ™Р’В Р В Р’В Р В РІР‚В Р В Р’В Р Р†Р вЂљРЎв„ўР В РІР‚в„ўР вЂ™Р’В¦Р В Р’В Р вЂ™Р’В Р В РІР‚в„ўР вЂ™Р’В Р В Р’В Р вЂ™Р’В Р В Р’В Р Р†Р вЂљРІвЂћвЂ“Р В Р’В Р вЂ™Р’В Р В Р’В Р Р†Р вЂљР’В Р В Р’В Р вЂ™Р’В Р В Р вЂ Р В РІР‚С™Р РЋРІвЂћСћР В Р’В Р В Р вЂ№Р В Р вЂ Р Р†Р вЂљРЎвЂєР РЋРЎвЂєР В Р’В Р вЂ™Р’В Р В РІР‚в„ўР вЂ™Р’В Р В Р’В Р вЂ™Р’В Р В Р’В Р Р†Р вЂљРІвЂћвЂ“Р В Р’В Р вЂ™Р’В Р В РІР‚в„ўР вЂ™Р’В Р В Р’В Р В РІР‚В Р В Р’В Р Р†Р вЂљРЎв„ўР В Р Р‹Р Р†РІР‚С›РЎС›Р В Р’В Р вЂ™Р’В Р В РІР‚в„ўР вЂ™Р’В Р В Р’В Р Р†Р вЂљРІвЂћСћР В РІР‚в„ўР вЂ™Р’В Р В Р’В Р вЂ™Р’В Р В Р’В Р В РІР‚в„–Р В Р’В Р В РІР‚В Р В Р’В Р Р†Р вЂљРЎв„ўР В Р Р‹Р РЋРІР‚С”Р В Р’В Р вЂ™Р’В Р В РІР‚в„ўР вЂ™Р’В Р В Р’В Р Р†Р вЂљРІвЂћСћР В РІР‚в„ўР вЂ™Р’В Р В Р’В Р вЂ™Р’В Р В Р вЂ Р В РІР‚С™Р Р†РІР‚С›РЎС›Р В Р’В Р Р†Р вЂљРІвЂћСћР В РІР‚в„ўР вЂ™Р’В»Р В Р’В Р вЂ™Р’В Р В РІР‚в„ўР вЂ™Р’В Р В Р’В Р Р†Р вЂљРІвЂћСћР В РІР‚в„ўР вЂ™Р’В Р В Р’В Р вЂ™Р’В Р В Р вЂ Р В РІР‚С™Р Р†РІР‚С›РЎС›Р В Р’В Р Р†Р вЂљРІвЂћСћР В РІР‚в„ўР вЂ™Р’В»Р В Р’В Р вЂ™Р’В Р В РІР‚в„ўР вЂ™Р’В Р В Р’В Р Р†Р вЂљРІвЂћСћР В РІР‚в„ўР вЂ™Р’В Р В Р’В Р вЂ™Р’В Р В Р вЂ Р В РІР‚С™Р Р†РІР‚С›РЎС›Р В Р’В Р Р†Р вЂљРІвЂћСћР В РІР‚в„ўР вЂ™Р’ВµР В Р’В Р вЂ™Р’В Р В РІР‚в„ўР вЂ™Р’В Р В Р’В Р вЂ™Р’В Р В Р’В Р Р†Р вЂљРІвЂћвЂ“Р В Р’В Р вЂ™Р’В Р В РІР‚в„ўР вЂ™Р’В Р В Р’В Р В РІР‚В Р В Р’В Р Р†Р вЂљРЎв„ўР В Р Р‹Р Р†РІР‚С›РЎС›
Р В Р’В Р вЂ™Р’В Р В РІР‚в„ўР вЂ™Р’В Р В Р’В Р Р†Р вЂљРІвЂћСћР В РІР‚в„ўР вЂ™Р’В Р В Р’В Р вЂ™Р’В Р В Р’В Р В РІР‚в„–Р В Р’В Р В РІР‚В Р В Р вЂ Р В РІР‚С™Р РЋРІР‚С”Р В Р Р‹Р РЋРІР‚С”Р В Р’В Р вЂ™Р’В Р В РІР‚в„ўР вЂ™Р’В Р В Р’В Р вЂ™Р’В Р В Р’В Р Р†Р вЂљРІвЂћвЂ“Р В Р’В Р вЂ™Р’В Р В Р’В Р В РІР‚в„–Р В Р’В Р В РІР‚В Р В Р’В Р Р†Р вЂљРЎв„ўР В Р Р‹Р РЋРІвЂћСћР В Р’В Р вЂ™Р’В Р В РІР‚в„ўР вЂ™Р’В Р В Р’В Р Р†Р вЂљРІвЂћСћР В РІР‚в„ўР вЂ™Р’В Р В Р’В Р вЂ™Р’В Р В Р’В Р В РІР‚в„–Р В Р’В Р В РІР‚В Р В Р’В Р Р†Р вЂљРЎв„ўР В Р вЂ Р В РІР‚С™Р РЋРЎС™Р В Р’В Р вЂ™Р’В Р В РІР‚в„ўР вЂ™Р’В Р В Р’В Р Р†Р вЂљРІвЂћСћР В РІР‚в„ўР вЂ™Р’В Р В Р’В Р вЂ™Р’В Р В Р’В Р В РІР‚в„–Р В Р’В Р В РІР‚В Р В Р’В Р Р†Р вЂљРЎв„ўР В РІР‚в„ўР вЂ™Р’ВР В Р’В Р вЂ™Р’В Р В РІР‚в„ўР вЂ™Р’В Р В Р’В Р вЂ™Р’В Р В Р’В Р Р†Р вЂљРІвЂћвЂ“Р В Р’В Р вЂ™Р’В Р В Р’В Р Р†Р вЂљР’В Р В Р’В Р вЂ™Р’В Р В Р вЂ Р В РІР‚С™Р РЋРІвЂћСћР В Р’В Р В Р вЂ№Р В Р вЂ Р Р†Р вЂљРЎвЂєР РЋРЎвЂєР В Р’В Р вЂ™Р’В Р В РІР‚в„ўР вЂ™Р’В Р В Р’В Р вЂ™Р’В Р В Р’В Р Р†Р вЂљРІвЂћвЂ“Р В Р’В Р вЂ™Р’В Р В РІР‚в„ўР вЂ™Р’В Р В Р’В Р вЂ™Р’В Р В Р вЂ Р В РІР‚С™Р вЂ™Р’В°

IRG7PH50K10D

IGBT транзистор, 1200В, 90А, Частота 20кГц, 400Вт

КАТАЛОГ

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

Полупроводники

Транзисторы

IGBT - одиночные