GRM2165C1H100JZ01D


Керамический конденсатор 10 пФ 50 В

Купить GRM2165C1H100JZ01D по цене 1.82 руб. (>100 шт.   0.91 ) (без НДС 20%)
GRM2165C1H100JZ01D
Название (производитель) Доступно для заказа Цена, руб.,без НДС Купить
GRM2165C1H100JZ01D (MUR) 34 832 1.82
>100 шт.   0.91

Версия для печати

Технические характеристики GRM2165C1H100JZ01D

ПроизводительMurata Manufacturing Co., Ltd.
Допуск емкости±5%
Номинальное постоянное напряжение50 В
Тип диэлектрикаC0G
Рабочая температура-55...125 °C
Tin Plated Layer
Размер2.0x1.2x0.6
Номинальное напряжение50 В
Температурный коэфициентC0G
Емкость10 пФ
СерияGRM
Корпус (размер)0805
Тип монтажаПоверхностный
ТипКерамический
Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
Допустимые отклонения емкости±5%
Tolerance±5%
Рабочая температура-55°C ~ 125°C
Сфера примененияGeneral Purpose
Size / Dimension0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm)
Thickness0.028" (0.70mm)
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

    Наименование   Описание Производитель Количество Цена, руб. Купить
BC847 маломощные N-P-N транзисторы с большим коэффициентом усиления ("супербетта")(Uce=45V, ...   PHILIPS Заказ радиодеталей цена радиодетали
BC847 маломощные N-P-N транзисторы с большим коэффициентом усиления ("супербетта")(Uce=45V, ...   NXP 800 7.56 
BC847 маломощные N-P-N транзисторы с большим коэффициентом усиления ("супербетта")(Uce=45V, ...     Заказ радиодеталей цена радиодетали
BC847 маломощные N-P-N транзисторы с большим коэффициентом усиления ("супербетта")(Uce=45V, ...   PHILIPS Заказ радиодеталей цена радиодетали
BC847 маломощные N-P-N транзисторы с большим коэффициентом усиления ("супербетта")(Uce=45V, ...   NXP 2 459 цена радиодетали
BC847 маломощные N-P-N транзисторы с большим коэффициентом усиления ("супербетта")(Uce=45V, ...   CDIL Заказ радиодеталей цена радиодетали
BC847 маломощные N-P-N транзисторы с большим коэффициентом усиления ("супербетта")(Uce=45V, ...   SHIKUES 18 948 1.88 
>100 шт.   0.94 
BC847 маломощные N-P-N транзисторы с большим коэффициентом усиления ("супербетта")(Uce=45V, ...   JSCJ 1 016 202 1.15 
  CRCW080510K0FKEA Резистор -чип 0805, 10кОм, 1%, 0,125 Вт   VISHAY Заказ радиодеталей цена радиодетали
  CRCW080510K0FKEA Резистор -чип 0805, 10кОм, 1%, 0,125 Вт     320 10.00 
  CRCW080510K0FKEA Резистор -чип 0805, 10кОм, 1%, 0,125 Вт   VISHAY 7 741 цена радиодетали
  CRCW080510K0FKEA Резистор -чип 0805, 10кОм, 1%, 0,125 Вт   Vishay/Dale Заказ радиодеталей цена радиодетали
    RC0805FR-072K2L     YAGEO 367 886 0.87 
>500 шт.   0.29 
    RC0805FR-072K2L     YAGEO 2 758 цена радиодетали
    RC0805FR-072K2L       Заказ радиодеталей цена радиодетали
    RC0805FR-072KL     YAGEO 1 044 355 0.65 
>1000 шт.   0.13 
    RC0805FR-072KL     YAGEO 13 912 цена радиодетали
    RC0805FR-072KL       4 000 цена радиодетали
RLB0914-680KL Индуктивность 68μH 1,2A 8,7x12mm   BOURNS 4 898 24.25 
RLB0914-680KL Индуктивность 68μH 1,2A 8,7x12mm     208 48.00 
2SK1794
Транзистор полевой N-MOS 900V, 6A, 100W
Купить
MAX744AEWE+
DC/DC понижающий, Ind
Купить
STD30PF03LT4
P-channel 30 v - 0.025 ? - 24 a - dpak / ipak stripfet™ ii power mosfet
Купить
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход