|
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Напряжение выходное | 30V |
Тип входа | DC |
Ток выходной / канал | 150mA |
Корпус (размер) | 6-DIP |
Тип монтажа | Выводной |
Тип выхода | Darlington with Base |
Vce Saturation (Max) | 1V |
Current - DC Forward (If) | 80mA |
Current Transfer Ratio (Min) | 500% @ 10mA |
Voltage - Isolation | 1500Vrms |
Количество каналов | 1 |
Output Type | Darlington with Base |
4N33M (Оптроны с составным транзистором) Оптрон общего назначения с составным фототранзистором
Производитель:
|
Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
MHU-3КОМПЛЕКТ | HSUAN MAO | |||||||
К73-9-3300ПФ 630В (5%) | ||||||||
КД2999А | Кремниевый диод большой мощности 200В, 20А, 100 кГц, 0,2мкс | 93 | 66.50 | |||||
КД2999А | Кремниевый диод большой мощности 200В, 20А, 100 кГц, 0,2мкс | ФОТОН | 23 | 100.00 | ||||
КД2999А | Кремниевый диод большой мощности 200В, 20А, 100 кГц, 0,2мкс | СЗТП | 12 | 438.60 | ||||
КТ825Г | Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А | КРЕМНИЙ | 106 | 1 147.50 | ||||
КТ825Г | Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А | 21 | 805.00 | |||||
КТ825Г | Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А | БРЯНСК | 171 | 1 250.00 | ||||
КТ825Г | Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А | СИТ | ||||||
КТ825Г | Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А | RUS | ||||||
КТ825ГМ | 24 | 490.00 | ||||||
КТ825ГМ | БРЯНСК |
|