Версия для печати
Технические характеристики LM358DR

Корпус	8-SOIC
Корпус (размер)	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Тип монтажа	Поверхностный
Рабочая температура	0°C ~ 70°C
Напряжение-выходное, Single/Dual (±)	3 V ~ 32 V, ±1.5 V ~ 16 V
Ток выходной / канал	30mA
Ток выходной	1mA
Напряжение входного смещения	3000µV
Ток - входного смещения	20nA
Полоса пропускания	700kHz
Скорость нарастания выходного напряжения	0.3 V/µs
Число каналов	2
Тип усилителя	General Purpose
Серия	Trophy
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant

LM358D (Операционные усилители) DUAL OPERATIONAL AMPLIFIERS Также в этом файле: LM358DR Производитель: Texas Instruments //www.ti.com LM358DR datasheet 448.01Kb 20стр.

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Микросхемы

 » 

Обработка сигналов

 » 

Усилители

 » 

Операционные, буферные усилители

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		BFR93A		Маломощный N-P-N высокочастотный биполярный транзистор СВЧ 6ГГц 12В/35мА/0.3 Вт	NXP
		BFR93A		Маломощный N-P-N высокочастотный биполярный транзистор СВЧ 6ГГц 12В/35мА/0.3 Вт	PHILIPS
		BFR93A		Маломощный N-P-N высокочастотный биполярный транзистор СВЧ 6ГГц 12В/35мА/0.3 Вт	VISHAY
		BFR93A		Маломощный N-P-N высокочастотный биполярный транзистор СВЧ 6ГГц 12В/35мА/0.3 Вт			13.60
		BFR93A		Маломощный N-P-N высокочастотный биполярный транзистор СВЧ 6ГГц 12В/35мА/0.3 Вт	PHILIPS
		BFR93A		Маломощный N-P-N высокочастотный биполярный транзистор СВЧ 6ГГц 12В/35мА/0.3 Вт	КИТАЙ
		BFR93A		Маломощный N-P-N высокочастотный биполярный транзистор СВЧ 6ГГц 12В/35мА/0.3 Вт	NXP
		BFR93A		Маломощный N-P-N высокочастотный биполярный транзистор СВЧ 6ГГц 12В/35мА/0.3 Вт	INFINEON
		BFR93A		Маломощный N-P-N высокочастотный биполярный транзистор СВЧ 6ГГц 12В/35мА/0.3 Вт	INFINEON	54
		CF-0.125-150K 5%		Резистор углеродистый	CHINA
		CF-0.125-150K 5%		Резистор углеродистый			1.32  >500 шт.   0.44
		SS9014C			ПЛАНЕТА
		SS9014C				34 898	3.00
		SS9014C			Џ‹ЂЌ…’Ђ
		SS9014C				34 898	3.00
		SS9018H
		SS9018H			FSC
		SS9018H			ONS
		КТ815Б		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный		345	31.50
		КТ815Б		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	КРЕМНИЙ	532	35.70
		КТ815Б		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	БРЯНСК	3 091	36.00
		КТ815Б		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	МИНСК
		КТ815Б		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	ИНТЕГРАЛ	6	40.34
		КТ815Б		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	RUS
		КТ815Б		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	ТРАНЗИСТОР

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"