IRF7805Z

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
IRF7805Z	2 360	30.25

Версия для печати

Технические характеристики IRF7805Z

Серия	HEXFET®
Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs	6.8 mOhm @ 16A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	16A
Vgs(th) (Max) @ Id	2.25V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	27nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	2080pF @ 15V
Power - Max	2.5W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Корпус	8-SO

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IRF7805Z (MOSFET)

HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel

Производитель:
International Rectifier (IRF)

IRF7805Z datasheet
270.2 Кб