CW68 33000/38 333K

Версия для печати

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
BF245C	Транзистор полевой управляемый p-n переходом N-FET 30V 25mA 0,3W 12-25mA	FAI/QTC
BF245C	Транзистор полевой управляемый p-n переходом N-FET 30V 25mA 0,3W 12-25mA	FAIR
BF245C	Транзистор полевой управляемый p-n переходом N-FET 30V 25mA 0,3W 12-25mA	NXP
BF245C	Транзистор полевой управляемый p-n переходом N-FET 30V 25mA 0,3W 12-25mA	FSC
BF245C	Транзистор полевой управляемый p-n переходом N-FET 30V 25mA 0,3W 12-25mA			14.92
BF245C	Транзистор полевой управляемый p-n переходом N-FET 30V 25mA 0,3W 12-25mA	FAIRCHILD
BF245C	Транзистор полевой управляемый p-n переходом N-FET 30V 25mA 0,3W 12-25mA	FAIRCHILD
BF245C	Транзистор полевой управляемый p-n переходом N-FET 30V 25mA 0,3W 12-25mA	Fairchild Semiconductor
BF245C	Транзистор полевой управляемый p-n переходом N-FET 30V 25mA 0,3W 12-25mA	ЯПОНИЯ
BF245C	Транзистор полевой управляемый p-n переходом N-FET 30V 25mA 0,3W 12-25mA	FSC1
BFG135	СВЧ транзистор 6 ГГц, 15/25В, 150мА, 1.0 Вт	NXP
BFG135	СВЧ транзистор 6 ГГц, 15/25В, 150мА, 1.0 Вт	PHILIPS
BFG135	СВЧ транзистор 6 ГГц, 15/25В, 150мА, 1.0 Вт			37.48
BFG135	СВЧ транзистор 6 ГГц, 15/25В, 150мА, 1.0 Вт	PHILIPS	4
BFG135	СВЧ транзистор 6 ГГц, 15/25В, 150мА, 1.0 Вт	ГЕРМАНИЯ
LMV324IDT		ST MICROELECTRONICS	582	31.07
LMV324IDT		STMicroelectronics
LMV324IDT		ST MICROELECTRONICS SEMI
LMV324IDT
PIC18F1220-I/SO	2Kx16 Flash 16I/O 40MHz	MICRO CHIP
PIC18F1220-I/SO	2Kx16 Flash 16I/O 40MHz			534.16
PIC18F1220-I/SO	2Kx16 Flash 16I/O 40MHz	Microchip Technology
PIC18F1220-I/SO	2Kx16 Flash 16I/O 40MHz	MICRO CHIP
PIC18F1220-I/SO	2Kx16 Flash 16I/O 40MHz	ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
PIC18F1220-I/SO	2Kx16 Flash 16I/O 40MHz	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
МИЛИАМПЕРМЕТР 500МА (40Х40)
МИЛИАМПЕРМЕТР 500МА (40Х40)