Версия для печати
Технические характеристики IRLB3034

Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	195A
Drain to Source Voltage (Vdss)	40V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.7 mOhm @ 195A, 10V
FET Feature	Logic Level Gate
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Серия	HEXFET®
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Vgs(th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	162nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	10315pF @ 25V
Power - Max	375W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-220-3
Корпус	TO-220AB

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

 » 

Транзисторы (полевые) - одиночные

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		IRF2804		Транзистор полевой N-MOS 40V, 280A, 330W	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRF2804		Транзистор полевой N-MOS 40V, 280A, 330W			234.20
		IRF2804		Транзистор полевой N-MOS 40V, 280A, 330W	КИТАЙ
		IRF2804		Транзистор полевой N-MOS 40V, 280A, 330W	INFINEON
		IRFB3004PbF		Транзистор МОП N-канальный (40V, 340A, 380W)	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRFB3004PBF		Транзистор МОП N-канальный (40V, 340A, 380W)	INFINEON
		IRFB3004PBF		Транзистор МОП N-канальный (40V, 340A, 380W)
		RD15HVF1		Транзистор полевой, Po=15W (Pin=0.6W/175MHz, Vcc=12.5V)	MITSUBISHI
		RD15HVF1		Транзистор полевой, Po=15W (Pin=0.6W/175MHz, Vcc=12.5V)			644.00
		RD15HVF1		Транзистор полевой, Po=15W (Pin=0.6W/175MHz, Vcc=12.5V)	MIT
		RD15HVF1		Транзистор полевой, Po=15W (Pin=0.6W/175MHz, Vcc=12.5V)	ТАИЛАНД
		STGP19NC60HD		Высокоскоростной igbt-транзистор на 600 в, 19 а	ST MICROELECTRONICS	2 312	336.58
		STGP19NC60HD		Высокоскоростной igbt-транзистор на 600 в, 19 а	STMicroelectronics
		STGP19NC60HD		Высокоскоростной igbt-транзистор на 600 в, 19 а		480	212.98
		STGP19NC60HD		Высокоскоростной igbt-транзистор на 600 в, 19 а		480	212.98

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2024 АО "Контест"