|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
TLP521-2 |
|
Оптрон с транзисторным выходом 2xCh, 2,5kV, Uceo=55V, If= 50mA, CTRmax/min=100/600%
|
TOSHIBA
|
|
|
|
|
|
TLP521-2 |
|
Оптрон с транзисторным выходом 2xCh, 2,5kV, Uceo=55V, If= 50mA, CTRmax/min=100/600%
|
|
|
56.36
|
|
|
|
TLP521-2 |
|
Оптрон с транзисторным выходом 2xCh, 2,5kV, Uceo=55V, If= 50mA, CTRmax/min=100/600%
|
TOS
|
|
|
|
|
|
TLP521-2 |
|
Оптрон с транзисторным выходом 2xCh, 2,5kV, Uceo=55V, If= 50mA, CTRmax/min=100/600%
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
TLP521-2 |
|
Оптрон с транзисторным выходом 2xCh, 2,5kV, Uceo=55V, If= 50mA, CTRmax/min=100/600%
|
ТАИЛАНД
|
|
|
|
|
|
TLP521-2 |
|
Оптрон с транзисторным выходом 2xCh, 2,5kV, Uceo=55V, If= 50mA, CTRmax/min=100/600%
|
ISO
|
|
|
|
|
|
TLP521-2 |
|
Оптрон с транзисторным выходом 2xCh, 2,5kV, Uceo=55V, If= 50mA, CTRmax/min=100/600%
|
ISOCOM
|
|
|
|
|
|
ЗАЖ.2EDGV-5.08-03P-1-4 |
|
|
DEN
|
|
|
|
|
|
ЗАЖ.2EDGV-5.08-03P-1-4 |
|
|
DEGSON ELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
ЗАЖ.2EDGV-5.08-03P-1-4 |
|
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
КД102А |
|
Выпрямительный диод малой мощности кремниевый 250В, 100мА
|
|
|
16.80
|
|
|
|
КД102А |
|
Выпрямительный диод малой мощности кремниевый 250В, 100мА
|
ДНЕПР
|
40
|
89.89
|
|
|
|
КД102А |
|
Выпрямительный диод малой мощности кремниевый 250В, 100мА
|
ХЕРСОН
|
|
|
|
|
|
КД102А |
|
Выпрямительный диод малой мощности кремниевый 250В, 100мА
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КД102А |
|
Выпрямительный диод малой мощности кремниевый 250В, 100мА
|
СЗТП
|
400
|
124.74
|
|
|
|
КД102А |
|
Выпрямительный диод малой мощности кремниевый 250В, 100мА
|
ОРБИТА
|
|
|
|
|
|
КД102А |
|
Выпрямительный диод малой мощности кремниевый 250В, 100мА
|
САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРО
|
|
|
|
|
|
КД510А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс
|
|
10 614
|
11.04
|
|
|
|
КД510А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс
|
БРЕСТ
|
|
|
|
|
|
КД510А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс
|
ЦВЕТОТРОН, БРЕСТ
|
|
|
|
|
|
КД510А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс
|
П/П 1
|
|
|
|
|
|
КД510А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс
|
ЦВЕТОТРОН
|
10 628
|
13.44
|
|
|
|
КД510А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КД510А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс
|
СЗТП
|
|
|
|
|
|
КД510А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
КД510А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс
|
П/П 2
|
|
|
|
|
|
КД510А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс
|
РОССИЯ
|
|
|
|
|
|
КД510А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс
|
ОРБИТА
|
3 520
|
26.86
|
|
|
|
КД510А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс
|
САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРО
|
|
|
|
|
|
КС512А1 |
|
Стабилитрон с номинальным напряжением стабилизации 9.9 ... 13.2В, 1 ... 67мА, 0.125Вт
|
|
773
|
95.68
|
|
|
|
КС512А1 |
|
Стабилитрон с номинальным напряжением стабилизации 9.9 ... 13.2В, 1 ... 67мА, 0.125Вт
|
НЗПП
|
198
|
90.97
|
|
|
|
КС512А1 |
|
Стабилитрон с номинальным напряжением стабилизации 9.9 ... 13.2В, 1 ... 67мА, 0.125Вт
|
НОВОСИБИРСКИЙ ЗПП
|
|
|
|
|
|
КС512А1 |
|
Стабилитрон с номинальным напряжением стабилизации 9.9 ... 13.2В, 1 ... 67мА, 0.125Вт
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КС512А1 |
|
Стабилитрон с номинальным напряжением стабилизации 9.9 ... 13.2В, 1 ... 67мА, 0.125Вт
|
НОВОСИБИРСК
|
|
|
|