|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
3И306Ж |
|
|
|
1 632
|
43.35
|
|
|
|
3И306Ж |
|
|
СТАРТ
|
1 903
|
16.00
|
|
|
|
MMBFJ310 |
|
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
MMBFJ310 |
|
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
MMBFJ310 |
|
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
MMBFJ310 |
|
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
MMBFJ310 |
|
|
|
|
|
|
|
|
MMBFJ310 |
|
|
FSC
|
|
|
|
|
|
MMBFJ310 |
|
|
ONS
|
|
|
|
|
|
MMBFJ310 |
|
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
КД409А |
|
Диод универсальный импульсный 24В,0,05А
|
|
876
|
5.10
|
|
|
|
КД409А |
|
Диод универсальный импульсный 24В,0,05А
|
НАРЫШКИНО
|
1 200
|
6.00
|
|
|
|
КД409А |
|
Диод универсальный импульсный 24В,0,05А
|
СЗТП
|
40
|
66.30
|
|
|
|
КД409А |
|
Диод универсальный импульсный 24В,0,05А
|
П/П 2
|
|
|
|
|
|
КД409А |
|
Диод универсальный импульсный 24В,0,05А
|
САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРО
|
|
|
|
|
|
КТ646А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В
|
КРЕМНИЙ
|
311
|
48.45
|
|
|
|
КТ646А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В
|
|
892
|
31.50
|
|
|
|
КТ646А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В
|
БРЯНСК
|
|
|
|
|
|
КТ646А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
КТ646А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КТ646А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
КТ646А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В
|
ТРАНЗИСТОР
|
|
|
|
|
|
ТОТ-18 |
|
|
|
1
|
280.00
|
|
|
|
ТОТ-18 |
|
|
ИЗУМРУД
|
|
|
|
|
|
ТОТ-18 |
|
|
СТАВРОПОЛЬ
|
|
|
|