Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Current - Collector (Ic) (Max) | 2A |
Transistor Type | NPN |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 370mV @ 300mA, 3A |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 300 @ 1A, 2V |
Power - Max | 540mW |
Frequency - Transition | 100MHz |
Тип монтажа | Поверхностный |
Корпус (размер) | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Корпус | TO-236AB |
|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
BAS19 |
|
Диод переключающий 100В 0,2А 50нс
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BAS19 |
|
Диод переключающий 100В 0,2А 50нс
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BAS19 |
|
Диод переключающий 100В 0,2А 50нс
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BAS19 |
|
Диод переключающий 100В 0,2А 50нс
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAS19 |
|
Диод переключающий 100В 0,2А 50нс
|
DC COMPONENTS
|
11 633
|
1.62
|
|
|
|
BAS19 |
|
Диод переключающий 100В 0,2А 50нс
|
DIOTEC
|
|
|
|
|
|
BAS19 |
|
Диод переключающий 100В 0,2А 50нс
|
|
2 704
|
1.44
|
|
|
|
BAS19 |
|
Диод переключающий 100В 0,2А 50нс
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BAS19 |
|
Диод переключающий 100В 0,2А 50нс
|
ONS
|
|
|
|
|
|
BAS19 |
|
Диод переключающий 100В 0,2А 50нс
|
FAIRCHILD
|
8 101
|
|
|
|
|
BAS19 |
|
Диод переключающий 100В 0,2А 50нс
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BAS19 |
|
Диод переключающий 100В 0,2А 50нс
|
PHILIPS
|
11 428
|
|
|
|
|
BAS19 |
|
Диод переключающий 100В 0,2А 50нс
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
BAS19 |
|
Диод переключающий 100В 0,2А 50нс
|
ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
BAS19 |
|
Диод переключающий 100В 0,2А 50нс
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
BAS19 |
|
Диод переключающий 100В 0,2А 50нс
|
ZTX
|
|
|
|
|
|
BAS19 |
|
Диод переключающий 100В 0,2А 50нс
|
JSCJ
|
12 652
|
2.08
|
|
|
|
BAS19 |
|
Диод переключающий 100В 0,2А 50нс
|
SZOMK
|
4
|
1.47
|
|
|
|
NCP1400ASN50T1G |
|
Импульсный стабилизатор напряжения
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
NCP1400ASN50T1G |
|
Импульсный стабилизатор напряжения
|
|
|
48.44
|
|
|
|
NCP1400ASN50T1G |
|
Импульсный стабилизатор напряжения
|
ONS
|
|
|
|
|
|
NCP1400ASN50T1G |
|
Импульсный стабилизатор напряжения
|
МАЛАЙЗИЯ
|
|
|
|
|
|
NCP1400ASN50T1G |
|
Импульсный стабилизатор напряжения
|
ON SEMICONDUCTO
|
|
|
|
|
|
PBSS5540Z |
|
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
PBSS5540Z |
|
|
|
9
|
96.00
|
|
|
|
PBSS5540Z |
|
|
NXP
|
|
|
|
|
|
PBSS5540Z |
|
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
PBSS5540Z |
|
|
NXP
|
16
|
|
|
|
|
W2465S-70LL |
|
SO28
|
|
|
|
|
|
|
W2465S-70LL |
|
SO28
|
|
|
|
|
|
|
W27C512-45Z |
|
Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс
|
WINBOND
|
425
|
383.76
|
|
|
|
W27C512-45Z |
|
Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс
|
WIN
|
|
|
|
|
|
W27C512-45Z |
|
Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс
|
Winbond Electronics
|
|
|
|
|
|
W27C512-45Z |
|
Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс
|
ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
W27C512-45Z |
|
Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
W27C512-45Z |
|
Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс
|
|
|
|
|
|
|
W27C512-45Z |
|
Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс
|
NO NAME
|
|
|
|
|
|
W27C512-45Z |
|
Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс
|
|
1
|
302.40
|
|