MB3510 ДИОДНЫЙ МОСТ 35A 1000V
|
Версия для печати
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 0.033UF 400V 10% CL21 |
|
|
||||||
 |
2N5195 | ON SEMICONDUCTOR |
|
|
||||
|
|
2N5195 |
|
34.40 | |||||
|
|
2N5195 | ST MICROELECTRONICS |
|
|
||||
|
|
2N5195 | ON SEMICONDUCTOR | 48 |
|
||||
|
|
2N5195 | STMicroelectronics |
|
|
||||
|
|
2N5195 | ST MICROELECTRONICS SEMI | 104 |
|
||||
 |
CRCW080510K0FKEA |
|
Резистор -чип 0805, 10кОм, 1%, 0,125 Вт | VISHAY |
|
|
||
|
|
CRCW080510K0FKEA |
|
Резистор -чип 0805, 10кОм, 1%, 0,125 Вт | 320 | 10.00 | |||
|
|
CRCW080510K0FKEA |
|
Резистор -чип 0805, 10кОм, 1%, 0,125 Вт | VISHAY | 7 741 |
|
||
|
|
CRCW080510K0FKEA |
|
Резистор -чип 0805, 10кОм, 1%, 0,125 Вт | Vishay/Dale |
|
|
||
 |
|
IGW50N60H3 |
|
Infineon Technologies |
|
|
||
|
|
|
IGW50N60H3 |
|
INFINEON |
|
|
||
|
|
|
IGW50N60H3 |
|
|
|
|||
| МЛТ - 0.25 ВТ 24 ОМ 5% | 1 124 | 1.04 |
