МС-УН1
|
|
Версия для печати
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| LB1294-SAN | SANYO |
|
|
|||||
| КП 303 Е | RUS |
|
|
|||||
 |
 |
КП303А |
|
Tранзистор полевой с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа. |
|
57.60 | ||
|
|
|
КП303А |
|
Tранзистор полевой с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа. | ФОТОН | 15 836 | 24.00 | |
|
|
|
КП303А |
|
Tранзистор полевой с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа. | АЛЕКСАНДРОВ |
|
|
|
|
|
|
КП303А |
|
Tранзистор полевой с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа. | RUS |
|
|
|
|
|
|
КП303А |
|
Tранзистор полевой с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа. | ЭЛЕКС | 532 | 158.10 | |
| КП303Г9 |
|
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с затвором на основе p-n ... |
|
|
||||
 |
КП303Ж |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный полевой с затвором на основе p-n ... | 924 | 158.10 | |||
|
|
КП303Ж |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный полевой с затвором на основе p-n ... | ФОТОН | 36 007 | 20.00 | ||
|
|
КП303Ж |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный полевой с затвором на основе p-n ... | АЛЕКСАНДРОВ |
|
|
