Версия для печати
Технические характеристики PIC16F685-I/SO

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	PIC® 16F
Процессор	PIC
Размер ядра	8-Bit
Скорость	20MHz
Периферия	Brown-out Detect/Reset, POR, PWM, WDT
Число вводов/выводов	18
Размер программируемой памяти	7KB (4K x 14)
Тип программируемой памяти	FLASH
EEPROM Size	256 x 8
Размер памяти	256 x 8
Напряжение источника (Vcc/Vdd)	2 V ~ 5.5 V
Преобразователи данных	A/D 12x10b
Тип осцилятора	Internal
Рабочая температура	-40°C ~ 85°C
Корпус (размер)	20-SOIC (0.295", 7.50mm Width)

PIC16F685-I/SO datasheet

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Микросхемы

 » 

Микроконтроллеры

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	DC COMPONENTS	6 544	13.42
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S		3 734	3.67
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	YJ	158 972	4.92
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	MIC
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	KINGTRON
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	КИТАЙ	52	30.60
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	KINGTRONICS
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	KLS	4 575	12.79
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	KOME
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	LGE
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	HOTTECH	62 964	3.00
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	YANGJIE	21 456	5.57
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	YANGJIE (YJ)
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	SEP	8	2.77
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	ASEMI	6	6.73
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	JSCJ	5 240	9.33
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	KUU	56 032	3.14
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	RUME
		HGTG30N60A4D		Модуль IGBT 600V + диод 600В	FAIR
		HGTG30N60A4D		Модуль IGBT 600V + диод 600В	FSC
		HGTG30N60A4D		Модуль IGBT 600V + диод 600В			592.00
		HGTG30N60A4D		Модуль IGBT 600V + диод 600В	Fairchild Semiconductor
		HGTG30N60A4D		Модуль IGBT 600V + диод 600В	США
		HGTG30N60A4D		Модуль IGBT 600V + диод 600В	СОЕДИНЕННЫЕ ШТА
		HGTG30N60A4D		Модуль IGBT 600V + диод 600В	FAIRCHILD
		HGTG30N60A4D		Модуль IGBT 600V + диод 600В	FAIRCHILD
		HGTG30N60A4D		Модуль IGBT 600V + диод 600В	ONS-FAIR
		HGTG30N60A4D		Модуль IGBT 600V + диод 600В	ON SEMICONDUCTOR
		HGTG30N60A4D		Модуль IGBT 600V + диод 600В	ONS
		PIC16F676-I/P		Микроконтроллер широкого назначения 1Kx14 Flash 12I/O 20MHz, 8BIT FLASH MCU, EEPROM ...	MICRO CHIP
		PIC16F676-I/P		Микроконтроллер широкого назначения 1Kx14 Flash 12I/O 20MHz, 8BIT FLASH MCU, EEPROM ...		684	159.91
		PIC16F676-I/P		Микроконтроллер широкого назначения 1Kx14 Flash 12I/O 20MHz, 8BIT FLASH MCU, EEPROM ...	MICRO CHIP	27
		PIC16F676-I/P		Микроконтроллер широкого назначения 1Kx14 Flash 12I/O 20MHz, 8BIT FLASH MCU, EEPROM ...	Microchip Technology
		PIC16F676-I/P		Микроконтроллер широкого назначения 1Kx14 Flash 12I/O 20MHz, 8BIT FLASH MCU, EEPROM ...	ТАИЛАНД
		PIC16F690-I/P		ИМС МК 7 KB Std Flash,			468.00
		PIC16F690-I/P		ИМС МК 7 KB Std Flash,	MICRO CHIP
		PIC16F690-I/P		ИМС МК 7 KB Std Flash,	Microchip Technology
		PIC16F690-I/P		ИМС МК 7 KB Std Flash,	MICRO CHIP
		TNY268GN		Микросхема импульсный преобраз. энергии	PWR
		TNY268GN		Микросхема импульсный преобраз. энергии	POWER INTEGRATIONS
		TNY268GN		Микросхема импульсный преобраз. энергии			185.88
		TNY268GN		Микросхема импульсный преобраз. энергии	POWER INTEGRATIONS
		TNY268GN		Микросхема импульсный преобраз. энергии	КИТАЙ

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2024 АО "Контест"