К564ЛЕ5 (НИКЕЛЬ)

Версия для печати

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
ADG723BRMZ	1 норм. разомк.+1 норм. замкн. ключ, 200МГц, mSOIC8 S8B, RoHS	ANALOG DEVICES
ADG723BRMZ	1 норм. разомк.+1 норм. замкн. ключ, 200МГц, mSOIC8 S8B, RoHS		3	240.00
ADG723BRMZ	1 норм. разомк.+1 норм. замкн. ключ, 200МГц, mSOIC8 S8B, RoHS	ANALOG
ADG723BRMZ	1 норм. разомк.+1 норм. замкн. ключ, 200МГц, mSOIC8 S8B, RoHS	Analog Devices Inc
ADG723BRMZ	1 норм. разомк.+1 норм. замкн. ключ, 200МГц, mSOIC8 S8B, RoHS	ANALOG DEVICES	4
IRGS14C40L	IGBT транзистор 400В, 14А, 125Вт, D2PAK	INTERNATIONAL RECTIFIER
IRGS14C40L	IGBT транзистор 400В, 14А, 125Вт, D2PAK			168.00
IRGS14C40L	IGBT транзистор 400В, 14А, 125Вт, D2PAK	INFINEON
W27C512-45Z	Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс	WINBOND	616	423.12
W27C512-45Z	Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс	WIN
W27C512-45Z	Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс	Winbond Electronics
W27C512-45Z	Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс	ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
W27C512-45Z	Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
W27C512-45Z	Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс
W27C512-45Z	Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс	NO NAME
W27C512-45Z	Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс			141.80
К564ЛА8 (НИКЕЛЬ)
ФЭУ60