К564ЛЕ5 (НИКЕЛЬ)

Версия для печати

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
IRGS14C40L	IGBT транзистор 400В, 14А, 125Вт, D2PAK	INTERNATIONAL RECTIFIER
IRGS14C40L	IGBT транзистор 400В, 14А, 125Вт, D2PAK			168.00
IRGS14C40L	IGBT транзистор 400В, 14А, 125Вт, D2PAK	INFINEON
SCL-28 (2.54MM)		AUK
SCL-28 (2.54MM)		ZHEN
SCL-28 (2.54MM)				15.20
SCL-28 (2.54MM)		ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
SCL-28 (2.54MM)		ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
SCL-28 (2.54MM)		KLS
W27C512-45Z	Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс	WINBOND	107	452.64
W27C512-45Z	Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс	WIN
W27C512-45Z	Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс	Winbond Electronics
W27C512-45Z	Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс	ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
W27C512-45Z	Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
W27C512-45Z	Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс
W27C512-45Z	Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс	NO NAME
W27C512-45Z	Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс			141.80
КД514А	Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный импульсный 10В, 0,02А		4 714	1.70
КД514А	Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный импульсный 10В, 0,02А	БОЛОХОВСКИЙ ЗПП
КД514А	Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный импульсный 10В, 0,02А	БОЛХОВ
КД514А	Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный импульсный 10В, 0,02А	RUS
КД514А	Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный импульсный 10В, 0,02А	БОЛХОВСКИЙ ЗПП	1 120	70.85
ФЭУ60