H11AV1M
Фототранзисторный оптрон
Версия для печати
Технические характеристики H11AV1M
| Voltage - Isolation | 7500Vpk |
| Current Transfer Ratio (Max) | 300% @ 10mA |
| Корпус (размер) | 6-DIP |
| Тип монтажа | Выводной |
| Тип выхода | Transistor with Base |
| Vce Saturation (Max) | 400mV |
| Current - DC Forward (If) | 60mA |
| Напряжение выходное | 70V |
| Тип входа | DC |
| Количество каналов | 1 |
| Current Transfer Ratio (Min) | 100% @ 10mA |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Output Type | Transistor with Base |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
|
H11AV1M (Оптроны фототранзисторные)
Фототранзисторный оптрон
Производитель:
Fairchild Semiconductor
|
