FDB2614


200v n-channel powertrench mosfet

Купить FDB2614 ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
FDB2614
Версия для печати

Технические характеристики FDB2614

FET TypeMOSFET N-Channel, Metal Oxide
СерияPowerTrench®
Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
FET FeatureStandard
Rds On (Max) @ Id, Vgs27 mOhm @ 31A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)200V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C62A
Vgs(th) (Max) @ Id5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs99nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds7230pF @ 25V
Power - Max260W
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)TO-263-3, D²Pak (2 leads + Tab), TO-263AB
КорпусD²PAK
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

FDB2614 (MOSFET)

200V N-Channel PowerTrench MOSFET

Производитель:
Fairchild Semiconductor

FDB2614 datasheet
763.3 Кб
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход