REF3033AIDBZT
|
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Reference Type | Series, Precision |
| Напряжение выходное | 3.3V |
| Допустимые отклонения емкости | ±0.2% |
| Температурный коэфициент | 75ppm/°C |
| Напряжение входное | 3.301 V ~ 5.5 V |
| Количество каналов | 1 |
| Ток в рабочей точке(ВАХ) | 50µA |
| Ток выходной | 25mA |
| Рабочая температура | -40°C ~ 125°C |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Корпус | SOT-23-3 |
| Tolerance | ±0.2% |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| CL21B562KBANNNC | SAMSUNG ELECTRO-MECHANICS | 9 480 |
|
|||||
| CL21B562KBANNNC |
|
|
||||||
| CL21B562KBANNNC | SAMSUNG |
|
|
|||||
| GD32F103VGT6 | GIGADEVICE | 152 | 246.43 | |||||
| GD32F103VGT6 | GIGADEV |
|
|
|||||
| GD32F103VGT6 |
|
|
||||||
| LD1117S50CTR | ST MICROELECTRONICS | 568 | 27.55 | |||||
| LD1117S50CTR |
|
70.00 | ||||||
| LD1117S50CTR | ST MICROELECTRONICS SEMI | 81 |
|
|||||
| LD1117S50CTR | STMicroelectronics |
|
|
|||||
| LD1117S50CTR | ST MICROELECTRO |
|
|
|||||
| LD1117S50CTR | TEXAS INSTRUMENTS | 8 | 14.83 | |||||
| MBRA340T3G | ON SEMICONDUCTOR |
|
|
|||||
| MBRA340T3G |
|
28.00 | ||||||
| MBRA340T3G | ONS |
|
|
|||||
| MBRA340T3G | ON SEMICONDUCTOR |
|
|
|||||
| MBRA340T3G | ON SEMICONDUCTO |
|
|
|||||
| MBRA340T3G | ONSEMICONDUCTOR |
|
|
|||||
| MBRA340T3G | KLS |
|
|
|||||
| MBRA340T3G | TOKMAS | 4 492 | 5.05 | |||||
| MBRA340T3G | FUXIN | 8 018 | 6.29 |
