|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
3296W-1-103LF |
|
Резистор подстроечный 10кОм, 0.5Вт, металлокерамика, 25об., выводной, для печатного ...
|
BOURNS
|
1 200
|
108.24
|
|
|
|
3296W-1-103LF |
|
Резистор подстроечный 10кОм, 0.5Вт, металлокерамика, 25об., выводной, для печатного ...
|
CHINA
|
|
|
|
|
|
3296W-1-103LF |
|
Резистор подстроечный 10кОм, 0.5Вт, металлокерамика, 25об., выводной, для печатного ...
|
|
|
142.00
|
|
|
|
3296W-1-103LF |
|
Резистор подстроечный 10кОм, 0.5Вт, металлокерамика, 25об., выводной, для печатного ...
|
Bourns Inc
|
|
|
|
|
|
3296W-1-103LF |
|
Резистор подстроечный 10кОм, 0.5Вт, металлокерамика, 25об., выводной, для печатного ...
|
OLITECH
|
|
|
|
|
|
3296W-1-501LF |
|
Подстроечный резистор, многооборотный, металлокерамический , винт сверху, 500 Ом
|
BOURNS
|
|
|
|
|
|
3296W-1-501LF |
|
Подстроечный резистор, многооборотный, металлокерамический , винт сверху, 500 Ом
|
Bourns Inc
|
|
|
|
|
|
3296W-1-501LF |
|
Подстроечный резистор, многооборотный, металлокерамический , винт сверху, 500 Ом
|
BOURNS
|
29
|
|
|
|
|
3296W-1-501LF |
|
Подстроечный резистор, многооборотный, металлокерамический , винт сверху, 500 Ом
|
|
|
|
|
|
|
IRFZ24N |
|
Транзистор полевой N-MOS 55V, 17A, 45W
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
80
|
71.40
|
|
|
|
IRFZ24N |
|
Транзистор полевой N-MOS 55V, 17A, 45W
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
IRFZ24N |
|
Транзистор полевой N-MOS 55V, 17A, 45W
|
|
6
|
123.60
|
|
|
|
IRFZ24N |
|
Транзистор полевой N-MOS 55V, 17A, 45W
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
IRFZ24N |
|
Транзистор полевой N-MOS 55V, 17A, 45W
|
МЕКСИКА
|
|
|
|
|
|
IRFZ24N |
|
Транзистор полевой N-MOS 55V, 17A, 45W
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
IRFZ24N |
|
Транзистор полевой N-MOS 55V, 17A, 45W
|
1
|
|
|
|
|
|
KX-49 16.0 MHZ |
|
Резонатор кварцевый выводной 16МГц, 60Ом
|
GEYER ELECTRONIC
|
|
|
|
|
|
KX-49 16.0 MHZ |
|
Резонатор кварцевый выводной 16МГц, 60Ом
|
|
|
138.56
|
|
|
|
KX-49 16.0 MHZ |
|
Резонатор кварцевый выводной 16МГц, 60Ом
|
GEYER
|
|
|
|
|
|
MC33064P-5G |
|
Схема сброса (4.6V, инверсный сигнал сброса, -40 to +85C).
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MC33064P-5G |
|
Схема сброса (4.6V, инверсный сигнал сброса, -40 to +85C).
|
|
|
51.60
|
|
|
|
MC33064P-5G |
|
Схема сброса (4.6V, инверсный сигнал сброса, -40 to +85C).
|
ONS
|
|
|
|
|
|
MC33064P-5G |
|
Схема сброса (4.6V, инверсный сигнал сброса, -40 to +85C).
|
ON SEMIC
|
|
|
|
|
|
MC33064P-5G |
|
Схема сброса (4.6V, инверсный сигнал сброса, -40 to +85C).
|
ON SEMICONDUCTOR
|
184
|
|
|
|
|
MC33064P-5G |
|
Схема сброса (4.6V, инверсный сигнал сброса, -40 to +85C).
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MC33064P-5G |
|
Схема сброса (4.6V, инверсный сигнал сброса, -40 to +85C).
|
ON SEMICONDUCTO
|
|
|
|