|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
AD797ARZ |
|
Операционный усилитель, Uп=+5..+18В, Uсм<125мкВ, шум <1.7нВ/vГц и 2пА/vГц, -40..+85°C
|
ANALOG DEVICES
|
|
|
|
|
|
AD797ARZ |
|
Операционный усилитель, Uп=+5..+18В, Uсм<125мкВ, шум <1.7нВ/vГц и 2пА/vГц, -40..+85°C
|
ANALOG
|
|
|
|
|
|
AD797ARZ |
|
Операционный усилитель, Uп=+5..+18В, Uсм<125мкВ, шум <1.7нВ/vГц и 2пА/vГц, -40..+85°C
|
Analog Devices Inc
|
|
|
|
|
|
AD797ARZ |
|
Операционный усилитель, Uп=+5..+18В, Uсм<125мкВ, шум <1.7нВ/vГц и 2пА/vГц, -40..+85°C
|
США
|
|
|
|
|
|
AD797ARZ |
|
Операционный усилитель, Uп=+5..+18В, Uсм<125мкВ, шум <1.7нВ/vГц и 2пА/vГц, -40..+85°C
|
СОЕДИНЕННЫЕ ШТА
|
|
|
|
|
|
AD797ARZ |
|
Операционный усилитель, Uп=+5..+18В, Uсм<125мкВ, шум <1.7нВ/vГц и 2пА/vГц, -40..+85°C
|
|
|
|
|
|
|
AD797ARZ |
|
Операционный усилитель, Uп=+5..+18В, Uсм<125мкВ, шум <1.7нВ/vГц и 2пА/vГц, -40..+85°C
|
AD1
|
|
|
|
|
|
AD797ARZ |
|
Операционный усилитель, Uп=+5..+18В, Uсм<125мкВ, шум <1.7нВ/vГц и 2пА/vГц, -40..+85°C
|
|
|
|
|
|
|
AD797ARZ |
|
Операционный усилитель, Uп=+5..+18В, Uсм<125мкВ, шум <1.7нВ/vГц и 2пА/vГц, -40..+85°C
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
692
|
|
|
|
|
BLM31PG601SN1L |
|
Дроссель подавления ЭМП ЧИП 600 Ом, ток до 1.5 A
|
MURATA
|
78 472
|
6.90
|
|
|
|
BLM31PG601SN1L |
|
Дроссель подавления ЭМП ЧИП 600 Ом, ток до 1.5 A
|
|
4
|
18.00
|
|
|
|
BLM31PG601SN1L |
|
Дроссель подавления ЭМП ЧИП 600 Ом, ток до 1.5 A
|
MUR
|
257 490
|
5.72
|
|
|
|
BLM31PG601SN1L |
|
Дроссель подавления ЭМП ЧИП 600 Ом, ток до 1.5 A
|
MURATA
|
85 564
|
|
|
|
|
BLM31PG601SN1L |
|
Дроссель подавления ЭМП ЧИП 600 Ом, ток до 1.5 A
|
Murata Electronics North America
|
|
|
|
|
|
BLM31PG601SN1L |
|
Дроссель подавления ЭМП ЧИП 600 Ом, ток до 1.5 A
|
ЯПОНИЯ
|
|
|
|
|
|
BLM31PG601SN1L |
|
Дроссель подавления ЭМП ЧИП 600 Ом, ток до 1.5 A
|
MURATA*
|
|
|
|
|
|
MMBT5401LT1G |
|
Полевой транзистор SMD, PNP, 150В, 500мA, SOT-23
|
ON SEMICONDUCTOR
|
4
|
1.62
|
|
|
|
MMBT5401LT1G |
|
Полевой транзистор SMD, PNP, 150В, 500мA, SOT-23
|
ONS
|
4 961
|
4.57
|
|
|
|
MMBT5401LT1G |
|
Полевой транзистор SMD, PNP, 150В, 500мA, SOT-23
|
ON SEMICONDUCTOR
|
794
|
|
|
|
|
MMBT5401LT1G |
|
Полевой транзистор SMD, PNP, 150В, 500мA, SOT-23
|
|
|
|
|
|
|
MMBT5401LT1G |
|
Полевой транзистор SMD, PNP, 150В, 500мA, SOT-23
|
ON SEMICONDUCTO
|
|
|
|
|
|
MMBT5401LT1G |
|
Полевой транзистор SMD, PNP, 150В, 500мA, SOT-23
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MMBT5401LT1G |
|
Полевой транзистор SMD, PNP, 150В, 500мA, SOT-23
|
0.00
|
|
|
|
|
|
SMA-JR |
|
Разъем SMA - гнездо для пайки на плату угловое 50Ом
|
BM
|
98
|
340.92
|
|
|
|
SMA-JR |
|
Разъем SMA - гнездо для пайки на плату угловое 50Ом
|
|
420
|
157.25
|
|
|
|
SMA-JR |
|
Разъем SMA - гнездо для пайки на плату угловое 50Ом
|
KLS
|
|
|
|
|
|
SMA-JR |
|
Разъем SMA - гнездо для пайки на плату угловое 50Ом
|
AMTEK
|
|
|
|
|
|
SMA-JR |
|
Разъем SMA - гнездо для пайки на плату угловое 50Ом
|
RUICHI
|
19 477
|
51.40
|
|
|
|
TPS7A4700RGWT |
|
Линейный регулятор положительного напряжения (до 36 вольт), отличающийся сверхнизким ...
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
TPS7A4700RGWT |
|
Линейный регулятор положительного напряжения (до 36 вольт), отличающийся сверхнизким ...
|
|
|
|
|
|
|
TPS7A4700RGWT |
|
Линейный регулятор положительного напряжения (до 36 вольт), отличающийся сверхнизким ...
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
TPS7A4700RGWT |
|
Линейный регулятор положительного напряжения (до 36 вольт), отличающийся сверхнизким ...
|
TEXAS
|
|
|
|
|
|
TPS7A4700RGWT |
|
Линейный регулятор положительного напряжения (до 36 вольт), отличающийся сверхнизким ...
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
237
|
|
|