|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
T491A106K016AT |
|
Конденсатор - чип танталовый, общего назначения 1мкФ, 16В, 10%, 125С
|
KEMET
|
3
|
12.60
|
|
|
|
T491A106K016AT |
|
Конденсатор - чип танталовый, общего назначения 1мкФ, 16В, 10%, 125С
|
|
|
13.60
|
|
|
|
T491A106K016AT |
|
Конденсатор - чип танталовый, общего назначения 1мкФ, 16В, 10%, 125С
|
МЕКСИКА
|
|
|
|
|
|
T491A106K016AT |
|
Конденсатор - чип танталовый, общего назначения 1мкФ, 16В, 10%, 125С
|
KEM
|
|
|
|
|
|
T491A106K016AT |
|
Конденсатор - чип танталовый, общего назначения 1мкФ, 16В, 10%, 125С
|
KEMET/YAGEO
|
|
|
|
|
|
ЖАЛО ПАЯЛЬНОЕ 5PK-S112-B10 PROSKIT |
|
|
PROSKIT
|
|
|
|
|
|
ЖАЛО ПАЯЛЬНОЕ 5PK-S112-B10 PROSKIT |
|
|
ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
ЖАЛО ПАЯЛЬНОЕ 5PK-S112-B10 PROSKIT |
|
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
ЖАЛО ПАЯЛЬНОЕ 5PK-S112-B10 PROSKIT |
|
|
PRO'SKIT
|
|
|
|
|
|
ЖАЛО ПАЯЛЬНОЕ 5SI-216-B PROSKIT |
|
|
PROSKIT
|
|
|
|
|
|
ЖАЛО ПАЯЛЬНОЕ 5SI-216-B PROSKIT |
|
|
ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
ЖАЛО ПАЯЛЬНОЕ 5SI-216-B PROSKIT |
|
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
ЖАЛО ПАЯЛЬНОЕ 5SI-216-B PROSKIT |
|
|
PRO'SKIT
|
|
|
|
|
|
КТ3107А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 50В,100мА, ...
|
|
844
|
10.15
|
|
|
|
КТ3107А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 50В,100мА, ...
|
КРЕМНИЙ
|
808
|
13.26
|
|
|
|
КТ3107А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 50В,100мА, ...
|
СВЕТЛАНА
|
|
|
|
|
|
КТ3107А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 50В,100мА, ...
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
КТ3107А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 50В,100мА, ...
|
РИГА
|
|
|
|
|
|
КТ3107А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 50В,100мА, ...
|
БРЯНСК
|
7 312
|
12.40
|
|
|
|
КТ3107А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 50В,100мА, ...
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КТ3107А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 50В,100мА, ...
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
ФОТОРЕЗИСТ 300Х1000 ММ |
|
|
|
|
743.60
|
|