|
FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
Серия | TrenchMOS™ |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
FET Feature | Standard |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 63 mOhm @ 15A, 10V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 150V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 29A |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Gate Charge (Qg) @ Vgs | 55nC @ 10V |
Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 2390pF @ 25V |
Power - Max | 150W |
Тип монтажа | Поверхностный |
Корпус (размер) | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Корпус | D-Pak |
PSMN063-150D (MOSFET) N-канальный полевой транзистор
Производитель:
|
Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
BC807-25W | NXP | 16 420 | ||||||
BC807-25W | NEXPERIA | |||||||
BC807-25W | SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD | |||||||
BC807-25W | YJ | 1 405 | 1.71 | |||||
BC807-25W | ||||||||
PSMN035-150B | N-канальный полевой транзистор | NXP | ||||||
PSMN035-150B | N-канальный полевой транзистор | NXP | ||||||
PSMN035-150B | N-канальный полевой транзистор | |||||||
SUD25N15-52-E3 | VISHAY | 60 | 178.02 | |||||
SUD25N15-52-E3 | SILICONIX | |||||||
SUD25N15-52-E3 | SILICONIX | 73 | ||||||
SUD25N15-52-E3 | 440.00 | |||||||
SUD25N15-52-E3 | Vishay/Siliconix | |||||||
TCET1102G | VISHAY | |||||||
TCET1102G | VISHAY | |||||||
TCET1102G | ||||||||
TNY256PN | Микросхема LP Off-Line TinySwitch 8-15Вт | POWER INTEGRATIONS | ||||||
TNY256PN | Микросхема LP Off-Line TinySwitch 8-15Вт | POWER INTEGRATIONS | ||||||
TNY256PN | Микросхема LP Off-Line TinySwitch 8-15Вт | PWR | ||||||
TNY256PN | Микросхема LP Off-Line TinySwitch 8-15Вт | 4 | 201.60 | |||||
TNY256PN | Микросхема LP Off-Line TinySwitch 8-15Вт | КИТАЙ | ||||||
TNY256PN | Микросхема LP Off-Line TinySwitch 8-15Вт | 1 |
|