Версия для печати

Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный усилительный NPN 80В/1.5А/10Вт f<3МГц, Кус.=30-275 КТ815Г datasheet 180,2kB 1стр.

КАТАЛОГ

 » 

ОТЕЧЕСТВЕННЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

ТРАНЗИСТОРЫ

Аналоги:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)		2 657	15.46
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ST MICROELECTRONICS
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ON SEMICONDUCTOR
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ON SEMICONDUCTOR
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ST MICROELECTRONICS SEMI
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	STMICROELECTRONICS
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ST MICROELECTR
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ИНДИЯ
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	PILIPINES
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ST1
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ST MICROELECTRO
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	STMICROELECTR
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	CHANGJIANG
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	KLS
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	HOTTECH	9 236	11.87
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	CHINA
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	JSCJ	4 168	9.89
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	1
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ИМОРТ
		TIP29C		Транзистор биполярный NPN (Uce=100V, Ic=1A, P=30W, f=3MHz, h>20, -65 to +150C).	ON SEMICONDUCTOR
		TIP29C		Транзистор биполярный NPN (Uce=100V, Ic=1A, P=30W, f=3MHz, h>20, -65 to +150C).	ON SEMICONDUCTOR	35
		TIP29C		Транзистор биполярный NPN (Uce=100V, Ic=1A, P=30W, f=3MHz, h>20, -65 to +150C).	Intersil
		TIP29C		Транзистор биполярный NPN (Uce=100V, Ic=1A, P=30W, f=3MHz, h>20, -65 to +150C).	Fairchild Semiconductor
		TIP29C		Транзистор биполярный NPN (Uce=100V, Ic=1A, P=30W, f=3MHz, h>20, -65 to +150C).	STMicroelectronics
		TIP29C		Транзистор биполярный NPN (Uce=100V, Ic=1A, P=30W, f=3MHz, h>20, -65 to +150C).	Microsemi Commercial Components Group
		TIP29C		Транзистор биполярный NPN (Uce=100V, Ic=1A, P=30W, f=3MHz, h>20, -65 to +150C).	ST MICROELECTRONICS
		TIP29C		Транзистор биполярный NPN (Uce=100V, Ic=1A, P=30W, f=3MHz, h>20, -65 to +150C).			83.60
		TIP29C		Транзистор биполярный NPN (Uce=100V, Ic=1A, P=30W, f=3MHz, h>20, -65 to +150C).	ST MICROELECTRONICS SEMI	19
		TIP29C		Транзистор биполярный NPN (Uce=100V, Ic=1A, P=30W, f=3MHz, h>20, -65 to +150C).	FAIRCHILD
		TIP29C		Транзистор биполярный NPN (Uce=100V, Ic=1A, P=30W, f=3MHz, h>20, -65 to +150C).	MULTICOMP
		КТ961А		Транзистор кремниевый планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 50МГц		2 451	26.40
		КТ961А		Транзистор кремниевый планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 50МГц	КРЕМНИЙ	400	33.15
		КТ961А		Транзистор кремниевый планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 50МГц	БРЯНСК
		КТ961А		Транзистор кремниевый планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 50МГц	УЛЬЯНОВСК
		КТ961А		Транзистор кремниевый планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 50МГц	МИНСК
		КТ961А		Транзистор кремниевый планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 50МГц	ГАММА ЗАПОРОЖЬЕ
		КТ961А		Транзистор кремниевый планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 50МГц	ИНТЕГРАЛ
		КТ961А		Транзистор кремниевый планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 50МГц	RUS

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		КТ3107Б		Транзистор структуры PNP, усилительный, высокочастотный, с нормированным ...		93	6.00
		КТ3107Б		Транзистор структуры PNP, усилительный, высокочастотный, с нормированным ...	КРЕМНИЙ	80	13.26
		КТ3107Б		Транзистор структуры PNP, усилительный, высокочастотный, с нормированным ...	СВЕТЛАНА
		КТ3107Б		Транзистор структуры PNP, усилительный, высокочастотный, с нормированным ...	МИНСК
		КТ3107Б		Транзистор структуры PNP, усилительный, высокочастотный, с нормированным ...	БРЯНСК	3 144	12.00
		КТ3107Б		Транзистор структуры PNP, усилительный, высокочастотный, с нормированным ...	НАЛЬЧИК
		КТ3107Б		Транзистор структуры PNP, усилительный, высокочастотный, с нормированным ...	РИГА
		КТ3107Б		Транзистор структуры PNP, усилительный, высокочастотный, с нормированным ...	АЛЕКСАНДРОВ
		КТ3107Б		Транзистор структуры PNP, усилительный, высокочастотный, с нормированным ...	RUS
		КТ3107Б		Транзистор структуры PNP, усилительный, высокочастотный, с нормированным ...	ИНТЕГРАЛ	1	32.00
		КТ814Г		Транзистор средней мощности среднечастотный структуры PNP 100В, 1,5А, 3МГц		444	27.48
		КТ814Г		Транзистор средней мощности среднечастотный структуры PNP 100В, 1,5А, 3МГц	КРЕМНИЙ	3 280	46.25
		КТ814Г		Транзистор средней мощности среднечастотный структуры PNP 100В, 1,5А, 3МГц	ИНТЕГРАЛ
		КТ814Г		Транзистор средней мощности среднечастотный структуры PNP 100В, 1,5А, 3МГц	БРЯНСК	15 412	34.00
		КТ814Г		Транзистор средней мощности среднечастотный структуры PNP 100В, 1,5А, 3МГц	МИНСК
		КТ814Г		Транзистор средней мощности среднечастотный структуры PNP 100В, 1,5А, 3МГц	ТРАНЗИСТОР
		КТ814Г		Транзистор средней мощности среднечастотный структуры PNP 100В, 1,5А, 3МГц	RUS
		КТ816Г		Транзистор среднечастотный структуры PNP		846	28.70
		КТ816Г		Транзистор среднечастотный структуры PNP	КРЕМНИЙ	3 128	39.62
		КТ816Г		Транзистор среднечастотный структуры PNP	ТРАНЗИСТОР
		КТ816Г		Транзистор среднечастотный структуры PNP	БРЯНСК	6 826	32.00
		КТ816Г		Транзистор среднечастотный структуры PNP	МИНСК
		КТ816Г		Транзистор среднечастотный структуры PNP	RUS
		КТ816Г		Транзистор среднечастотный структуры PNP	ИНТЕГРАЛ
		КТ817Г		Транзистор средней мощности среднечастотный структуры NPN усилительный		1 524	27.12
		КТ817Г		Транзистор средней мощности среднечастотный структуры NPN усилительный	КРЕМНИЙ	1 200	92.50
		КТ817Г		Транзистор средней мощности среднечастотный структуры NPN усилительный	МИНСК
		КТ817Г		Транзистор средней мощности среднечастотный структуры NPN усилительный	БРЯНСК	8 407	30.00
		КТ817Г		Транзистор средней мощности среднечастотный структуры NPN усилительный	RUS
		КТ817Г		Транзистор средней мощности среднечастотный структуры NPN усилительный	ИНТЕГРАЛ
		КТ819Г		Транзистор большой мощности среднечастотный структуры NPN 60Вт, 3Мгц,		760	78.75
		КТ819Г		Транзистор большой мощности среднечастотный структуры NPN 60Вт, 3Мгц,	КРЕМНИЙ	936	91.51
		КТ819Г		Транзистор большой мощности среднечастотный структуры NPN 60Вт, 3Мгц,	БРЯНСК	3 153	90.00
		КТ819Г		Транзистор большой мощности среднечастотный структуры NPN 60Вт, 3Мгц,	МИНСК
		КТ819Г		Транзистор большой мощности среднечастотный структуры NPN 60Вт, 3Мгц,	УЛЬЯНОВСК
		КТ819Г		Транзистор большой мощности среднечастотный структуры NPN 60Вт, 3Мгц,	RUS
		КТ819Г		Транзистор большой мощности среднечастотный структуры NPN 60Вт, 3Мгц,	ИНТЕГРАЛ

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2024 АО "Контест"