| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
|
IN555N |
|
|
|
46
|
31.68
|
|
|
|
|
IN555N |
|
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
|
IN555N |
|
|
МИНСК
|
|
|
|
 |
 |
АОТ128Д |
|
Оптопары транзисторные, состоящие из излучающего диода на основе соединения ...
|
|
1 440
|
33.44
|
|
|
|
|
АОТ128Д |
|
Оптопары транзисторные, состоящие из излучающего диода на основе соединения ...
|
ПРОТОН
|
234
|
85.61
|
|
|
|
|
АОТ128Д |
|
Оптопары транзисторные, состоящие из излучающего диода на основе соединения ...
|
УЛЬЯНОВСК
|
|
|
|
|
|
|
АОТ128Д |
|
Оптопары транзисторные, состоящие из излучающего диода на основе соединения ...
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
КР1533ИЕ19 |
|
ИМ транзисторной логики с диодами Шоттки серии ТТЛ, сдвоенный четырехразрядный ...
|
|
39
|
64.80
|
|
|
|
|
КР1533ИЕ19 |
|
ИМ транзисторной логики с диодами Шоттки серии ТТЛ, сдвоенный четырехразрядный ...
|
ЗПП
|
|
|
|
|
|
|
КР1533ИЕ19 |
|
ИМ транзисторной логики с диодами Шоттки серии ТТЛ, сдвоенный четырехразрядный ...
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
|
КР1533ИЕ19 |
|
ИМ транзисторной логики с диодами Шоттки серии ТТЛ, сдвоенный четырехразрядный ...
|
ЗПП МИНСК
|
|
|
|
|
|
|
КР1533ИЕ19 |
|
ИМ транзисторной логики с диодами Шоттки серии ТТЛ, сдвоенный четырехразрядный ...
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
|
КР1533ИЕ19 |
|
ИМ транзисторной логики с диодами Шоттки серии ТТЛ, сдвоенный четырехразрядный ...
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
КР1533ЛА21 |
|
4 логических элемента 2И-НЕ с мощным выходом. Время задержки 4 нс, мощность ...
|
ЗПП
|
|
|
|
|
|
|
КР1533ЛА21 |
|
4 логических элемента 2И-НЕ с мощным выходом. Время задержки 4 нс, мощность ...
|
|
204
|
33.44
|
|
|
|
|
КР1533ЛА21 |
|
4 логических элемента 2И-НЕ с мощным выходом. Время задержки 4 нс, мощность ...
|
ЗПП МИНСК
|
|
|
|
|
|
|
КР1533ЛА21 |
|
4 логических элемента 2И-НЕ с мощным выходом. Время задержки 4 нс, мощность ...
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
|
КР1533ЛА21 |
|
4 логических элемента 2И-НЕ с мощным выходом. Время задержки 4 нс, мощность ...
|
ИНТЕГРАЛ
|
80
|
66.30
|
|
|
|
|
КТ829Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN составной усилительный
|
|
1 390
|
15.84
|
|
|
|
|
КТ829Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN составной усилительный
|
КРЕМНИЙ
|
80
|
81.60
|
|
|
|
|
КТ829Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN составной усилительный
|
БРЯНСК
|
306
|
34.40
|
|
|
|
|
КТ829Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN составной усилительный
|
ФРЯЗИНО
|
1 177
|
16.00
|
|
|
|
|
КТ829Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN составной усилительный
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
КТ829Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN составной усилительный
|
ЭЛЕКТРОНПРИБОР
|
400
|
66.30
|
|
|
|
|
КТ829Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN составной усилительный
|
КРЕМН
|
|
|
|
|
|
|
КТ829Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN составной усилительный
|
ЭДЬТАВ
|
|
|
|
|
|
|
КТ829Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN составной усилительный
|
ЭЛЬТАВ
|
300
|
16.00
|
|
|
|
|
КТ829Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN составной усилительный
|
УЛЬЯНОВСК
|
160
|
16.00
|
|
|
|
|
КТ829Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN составной усилительный
|
КРЕМНИЙ ЭЛ
|
116
|
18.31
|
|
Версия для печати
