Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Серия | PIC® 12F |
Процессор | PIC |
Размер ядра | 8-Bit |
Скорость | 20MHz |
Периферия | Brown-out Detect/Reset, POR, PWM, WDT |
Число вводов/выводов | 5 |
Размер программируемой памяти | 3.5KB (2K x 14) |
Тип программируемой памяти | FLASH |
EEPROM Size | 256 x 8 |
Размер памяти | 128 x 8 |
Напряжение источника (Vcc/Vdd) | 2 V ~ 5.5 V |
Преобразователи данных | A/D 4x10b |
Тип осцилятора | Internal |
Рабочая температура | -40°C ~ 85°C |
Корпус (размер) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
1N4764A(1W100V) |
|
|
DC COMPONENTS
|
|
|
|
|
|
1N4764A(1W100V) |
|
|
EIC
|
|
|
|
|
|
1N4764A(1W100V) |
|
|
SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
|
|
|
|
|
|
1N4764A(1W100V) |
|
|
0.00
|
|
|
|
|
|
BC846 |
|
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BC846 |
|
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BC846 |
|
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BC846 |
|
|
|
24
|
7.20
|
|
|
|
BC846 |
|
|
JSCJ
|
168 075
|
1.47
|
|
|
|
BC857 |
|
маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления ("супербетта") в корпусе ...
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BC857 |
|
маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления ("супербетта") в корпусе ...
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BC857 |
|
маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления ("супербетта") в корпусе ...
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BC857 |
|
маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления ("супербетта") в корпусе ...
|
NXP
|
10 484
|
|
|
|
|
BC857 |
|
маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления ("супербетта") в корпусе ...
|
|
335
|
5.25
|
|
|
|
BC857 |
|
маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления ("супербетта") в корпусе ...
|
MULTICOMP
|
|
|
|
|
|
BC857 |
|
маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления ("супербетта") в корпусе ...
|
JSCJ
|
704 396
|
1.62
>100 шт. 0.81
|
|
|
|
FR307 |
|
Импульсный диод 1000V, 3A, 500ns
|
CHIN
|
|
|
|
|
|
FR307 |
|
Импульсный диод 1000V, 3A, 500ns
|
DC COMPONENTS
|
42 624
|
6.47
|
|
|
|
FR307 |
|
Импульсный диод 1000V, 3A, 500ns
|
MCC
|
|
|
|
|
|
FR307 |
|
Импульсный диод 1000V, 3A, 500ns
|
|
|
8.52
|
|
|
|
FR307 |
|
Импульсный диод 1000V, 3A, 500ns
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
FR307 |
|
Импульсный диод 1000V, 3A, 500ns
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
FR307 |
|
Импульсный диод 1000V, 3A, 500ns
|
КИТАЙ
|
80
|
20.40
|
|
|
|
FR307 |
|
Импульсный диод 1000V, 3A, 500ns
|
MIC
|
5 549
|
6.30
|
|
|
|
FR307 |
|
Импульсный диод 1000V, 3A, 500ns
|
YJ
|
|
|
|
|
|
FR307 |
|
Импульсный диод 1000V, 3A, 500ns
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
FR307 |
|
Импульсный диод 1000V, 3A, 500ns
|
KINGTRONICS
|
|
|
|
|
|
FR307 |
|
Импульсный диод 1000V, 3A, 500ns
|
MULTICOMP
|
|
|
|
|
|
FR307 |
|
Импульсный диод 1000V, 3A, 500ns
|
SEMTECH
|
|
|
|
|
|
FR307 |
|
Импульсный диод 1000V, 3A, 500ns
|
WUXI XUYANG
|
35
|
8.78
|
|
|
|
FR307 |
|
Импульсный диод 1000V, 3A, 500ns
|
YANGJIE
|
33 200
|
8.38
|
|
|
|
FR307 |
|
Импульсный диод 1000V, 3A, 500ns
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
FR307 |
|
Импульсный диод 1000V, 3A, 500ns
|
HOTTECH
|
|
|
|
|
|
FR307 |
|
Импульсный диод 1000V, 3A, 500ns
|
OLITECH
|
77
|
5.73
|
|
|
|
FR307 |
|
Импульсный диод 1000V, 3A, 500ns
|
TRR
|
|
|
|
|
|
FR307 |
|
Импульсный диод 1000V, 3A, 500ns
|
SUNTAN
|
|
|
|
|
|
FR307 |
|
Импульсный диод 1000V, 3A, 500ns
|
RUME
|
|
|
|
|
|
MB10S-TP |
|
|
MCC
|
|
|
|
|
|
MB10S-TP |
|
|
Micro Commercial Co
|
|
|
|
|
|
MB10S-TP |
|
|
|
|
|
|