IRF8852
|
Версия для печати
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.35V @ 25µA |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 7.8A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 25V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11.3 mOhm @ 7.8A, 10V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Серия | HEXFET® |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 9.5nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 1151pF @ 20V |
| Power - Max | 1W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) |
| Корпус | 8-TSSOP |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
