IRFBA90N20D
N-MOS+D 200V, 98A, 650W
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Серия | HEXFET® |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Standard |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 23 mOhm @ 59A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 98A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 240nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 6080pF @ 25V |
| Power - Max | 650W |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | Super-220™-3 (Straight Leads) |
| Корпус | SUPER-220™ (TO-273AA) |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
IRFBA90N20D (MOSFET) HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel
Производитель:
|
