SI4922BDY-T1-E3

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
SI4922BDY-T1-E3 (SILICONIX.)	42	3-4 недели Цена по запросу

Версия для печати

Технические характеристики SI4922BDY-T1-E3

Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	8A
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	16 mOhm @ 5A, 10V
FET Feature	Standard
FET Type	2 N-Channel (Dual)
Серия	TrenchFET®
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Vgs(th) (Max) @ Id	1.8V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	62nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	2070pF @ 15V
Power - Max	2W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Корпус	8-SOICN

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.