Версия для печати
Технические характеристики NTD20N06LT4G

Drain to Source Voltage (Vdss)	60V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	48 mOhm @ 10A, 5V
FET Feature	Logic Level Gate
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	20A
Vgs(th) (Max) @ Id	2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	32nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	990pF @ 25V
Power - Max	1.36W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Корпус	DPAK-3

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

 » 

Транзисторы (полевые) - одиночные

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		ADUM1201ARZ		2 канала, пр/обр канал=1/1, 1M бит/с, макс.задержка 150нс, изоляция 2.5кВ, ...	ANALOG DEVICES
		ADUM1201ARZ		2 канала, пр/обр канал=1/1, 1M бит/с, макс.задержка 150нс, изоляция 2.5кВ, ...	ANALOG
		ADUM1201ARZ		2 канала, пр/обр канал=1/1, 1M бит/с, макс.задержка 150нс, изоляция 2.5кВ, ...			424.00
		ADUM1201ARZ		2 канала, пр/обр канал=1/1, 1M бит/с, макс.задержка 150нс, изоляция 2.5кВ, ...	Analog Devices Inc
		ADUM1201ARZ		2 канала, пр/обр канал=1/1, 1M бит/с, макс.задержка 150нс, изоляция 2.5кВ, ...	США
		ADUM1201ARZ		2 канала, пр/обр канал=1/1, 1M бит/с, макс.задержка 150нс, изоляция 2.5кВ, ...	СОЕДИНЕННЫЕ ШТА
		ADUM1201ARZ		2 канала, пр/обр канал=1/1, 1M бит/с, макс.задержка 150нс, изоляция 2.5кВ, ...	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		ADUM1201ARZ		2 канала, пр/обр канал=1/1, 1M бит/с, макс.задержка 150нс, изоляция 2.5кВ, ...	ANALOG DEVICES	9
		ADUM1201ARZ		2 канала, пр/обр канал=1/1, 1M бит/с, макс.задержка 150нс, изоляция 2.5кВ, ...	AD1
		ADUM1201ARZ		2 канала, пр/обр канал=1/1, 1M бит/с, макс.задержка 150нс, изоляция 2.5кВ, ...	JSMICRO	918	80.78
		BF998		Транзистор полевой N-канал 12В, 0.03А, 0.2Вт	INFINEON
		BF998		Транзистор полевой N-канал 12В, 0.03А, 0.2Вт	NXP
		BF998		Транзистор полевой N-канал 12В, 0.03А, 0.2Вт	PHILIPS
		BF998		Транзистор полевой N-канал 12В, 0.03А, 0.2Вт			34.40
		BF998		Транзистор полевой N-канал 12В, 0.03А, 0.2Вт	INFINEON
		BF998		Транзистор полевой N-канал 12В, 0.03А, 0.2Вт	PHILIPS
		BF998		Транзистор полевой N-канал 12В, 0.03А, 0.2Вт	КИТАЙ
		MBR20100CT		2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)	FAI/QTC
		MBR20100CT		2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)	INTERNATIONAL RECTIFIER	26	86.94
		MBR20100CT		2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)	GENERAL SEMICONDUCTOR
		MBR20100CT		2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)	ON SEMICONDUCTOR
		MBR20100CT		2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)	VISHAY
		MBR20100CT		2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)	GENERAL SEMICONDUCTOR	14
		MBR20100CT		2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)	INTERNATIONAL RECTIFIER
		MBR20100CT		2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)	ONS
		MBR20100CT		2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)	КИТАЙ
		MBR20100CT		2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)	MIC	1 191	37.35
		MBR20100CT		2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)	GALAXY
		MBR20100CT		2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)	YJ	7 850	24.80
		MBR20100CT		2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)	ON SEMICONDUCTOR
		MBR20100CT		2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)	MCC
		MBR20100CT		2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)	TSC
		MBR20100CT		2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)		3 960	21.07
		MBR20100CT		2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)	GALAXY ME
		MBR20100CT		2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)	HOTTECH	2 966	28.39
		MBR20100CT		2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)	KLS	25 034	31.24
		MBR20100CT		2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)	PANJIT
		MBR20100CT		2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)	SUNTAN
		MBR20100CT		2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)	YANGJIE	33 680	26.88
		MBR20100CT		2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)	YANGJIE (YJ)
		MBR20100CT		2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)	1
		NE555DR		Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...	NEC
		NE555DR		Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...	TEXAS INSTRUMENTS	5 168	13.43
		NE555DR		Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...		10 516	7.96
		NE555DR		Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...	TEXAS INSTRUMENTS
		NE555DR		Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...	TEXAS
		NE555DR		Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...	TEXAS INSTRUMEN
		NE555DR		Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...	TEXASINSTRUMENTS
		NE555DR		Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...	0.00
		NE555DR		Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...	YOUTAI	74 904	4.28
		NE555DR		Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...	TI (TEXAS INSTRUMENTS)	16 000	11.30
		NE555DR		Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...	UMW	2 640	6.20
		NE555DR		Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...	UMW-YOUTAI
		TIP142		Транзистор биполярный — составной NPN (Uce=100V, Ic=10A, P=125W, B>1000@Ic=5A, -65 to ...	FAIR
		TIP142		Транзистор биполярный — составной NPN (Uce=100V, Ic=10A, P=125W, B>1000@Ic=5A, -65 to ...	ST MICROELECTRONICS	1 913	131.48
		TIP142		Транзистор биполярный — составной NPN (Uce=100V, Ic=10A, P=125W, B>1000@Ic=5A, -65 to ...	ON SEMICONDUCTOR
		TIP142		Транзистор биполярный — составной NPN (Uce=100V, Ic=10A, P=125W, B>1000@Ic=5A, -65 to ...	FSC
		TIP142		Транзистор биполярный — составной NPN (Uce=100V, Ic=10A, P=125W, B>1000@Ic=5A, -65 to ...			97.56
		TIP142		Транзистор биполярный — составной NPN (Uce=100V, Ic=10A, P=125W, B>1000@Ic=5A, -65 to ...	ON SEMICONDUCTOR
		TIP142		Транзистор биполярный — составной NPN (Uce=100V, Ic=10A, P=125W, B>1000@Ic=5A, -65 to ...	ST MICROELECTRONICS SEMI
		TIP142		Транзистор биполярный — составной NPN (Uce=100V, Ic=10A, P=125W, B>1000@Ic=5A, -65 to ...	STMicroelectronics
		TIP142		Транзистор биполярный — составной NPN (Uce=100V, Ic=10A, P=125W, B>1000@Ic=5A, -65 to ...	PMC
		TIP142		Транзистор биполярный — составной NPN (Uce=100V, Ic=10A, P=125W, B>1000@Ic=5A, -65 to ...	КИТАЙ
		TIP142		Транзистор биполярный — составной NPN (Uce=100V, Ic=10A, P=125W, B>1000@Ic=5A, -65 to ...	INCHANGE SEMIC
		TIP142		Транзистор биполярный — составной NPN (Uce=100V, Ic=10A, P=125W, B>1000@Ic=5A, -65 to ...	ST MICROELECTRO
		TIP142		Транзистор биполярный — составной NPN (Uce=100V, Ic=10A, P=125W, B>1000@Ic=5A, -65 to ...	STMICROELECTR
		TIP142		Транзистор биполярный — составной NPN (Uce=100V, Ic=10A, P=125W, B>1000@Ic=5A, -65 to ...	MULTICOMP

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"