Версия для печати
Технические характеристики STP30NF10

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	STripFET™
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	45 mOhm @ 15A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	35A
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	55nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	1180pF @ 25V
Power - Max	115W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-220-3
Корпус	TO-220AB

STP30NF10 (MOSFET) N-channel 100V - 0.038? - 35A - TO-220 Low gate charge STripFET™ II Power MOSFET Производитель: STMicroelectronics STP30NF10 datasheet 508.3 Кб

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

 » 

Транзисторы (полевые) - одиночные

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		BCX17		Транзистор PNP 45V 0,5A 0,25W B:100-600	FAIR
		BCX17		Транзистор PNP 45V 0,5A 0,25W B:100-600	PHILIPS
		BCX17		Транзистор PNP 45V 0,5A 0,25W B:100-600		5	10.08
		BCX17		Транзистор PNP 45V 0,5A 0,25W B:100-600	FAIRCHILD
		BCX17		Транзистор PNP 45V 0,5A 0,25W B:100-600	FAIRCHILD
		BCX17		Транзистор PNP 45V 0,5A 0,25W B:100-600	PHILIPS
		BCX17		Транзистор PNP 45V 0,5A 0,25W B:100-600	Fairchild Semiconductor
		BCX17		Транзистор PNP 45V 0,5A 0,25W B:100-600	КИТАЙ
		BCX17		Транзистор PNP 45V 0,5A 0,25W B:100-600		5	10.08
		BCX17		Транзистор PNP 45V 0,5A 0,25W B:100-600	NXP
		BCX17		Транзистор PNP 45V 0,5A 0,25W B:100-600	ONS
		BCX17		Транзистор PNP 45V 0,5A 0,25W B:100-600	1
		BSM50GP120		Модуль IGBT 1600V 50A PIM			34 140.00
		BSM50GP120		Модуль IGBT 1600V 50A PIM	INFINEON
		BZX55-C16			DC COMPONENTS	2 480	1.68
		BZX55-C16
		HER108		Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления	DIODES
		HER108		Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления	MCC
		HER108		Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления		21 982	1.20
		HER108		Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления	WTE
		HER108		Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления	GALAXY
		HER108		Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		HER108		Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления	MIC	50 385	2.01
		HER108		Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления	КИТАЙ
		HER108		Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления	TAIWAN SEMICONDUCTOR MANF.
		HER108		Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления	TAIWAN SEMICONDUCTOR
		HER108		Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления	GALAXY ME
		HER108		Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления	KINGTRONICS
		HER108		Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления	SUNTAN	5 435	2.63
		HER108		Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления	KLS
		HER108		Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления	WUXI XUYANG
		HER108		Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления	HOTTECH
		HER108		Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления	YANGJIE
		HER108		Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления	YANGJIE (YJ)
		HER108		Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления	YJ	24	3.10
		HER108		Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления	CTK	262	4.67
		HER108		Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления	YIXING	8 000	1 610.28
		HER108		Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления	KOME	8 492	2.51
		UCC27324D					400.00
		UCC27324D			TEXAS INSTRUMENTS
		UCC27324D			TEXAS

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"