|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
BYV26E |
|
Диод универсальный 1000В, 1A / 30A, SOD57
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BYV26E |
|
Диод универсальный 1000В, 1A / 30A, SOD57
|
|
6
|
54.00
|
|
|
|
BYV26E |
|
Диод универсальный 1000В, 1A / 30A, SOD57
|
EIC
|
872
|
11.87
|
|
|
|
BYV26E |
|
Диод универсальный 1000В, 1A / 30A, SOD57
|
ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
BYV26E |
|
Диод универсальный 1000В, 1A / 30A, SOD57
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
BYV26E |
|
Диод универсальный 1000В, 1A / 30A, SOD57
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BYV26E |
|
Диод универсальный 1000В, 1A / 30A, SOD57
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
BYV26E |
|
Диод универсальный 1000В, 1A / 30A, SOD57
|
SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
|
|
|
|
|
|
BYV26E |
|
Диод универсальный 1000В, 1A / 30A, SOD57
|
LGE
|
|
|
|
|
|
BZX55-C16 |
|
|
DC COMPONENTS
|
5 472
|
1.61
|
|
|
|
BZX55-C16 |
|
|
|
|
|
|
|
|
BZX55C12 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=11.412.7V (12V nom)@Iz=5 mA, tol=5%)
|
|
927
|
5.28
|
|
|
|
BZX55C12 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=11.412.7V (12V nom)@Iz=5 mA, tol=5%)
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BZX55C12 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=11.412.7V (12V nom)@Iz=5 mA, tol=5%)
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BZX55C12 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=11.412.7V (12V nom)@Iz=5 mA, tol=5%)
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
BZX55C12 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=11.412.7V (12V nom)@Iz=5 mA, tol=5%)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BZX55C12 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=11.412.7V (12V nom)@Iz=5 mA, tol=5%)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BZX55C12 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=11.412.7V (12V nom)@Iz=5 mA, tol=5%)
|
GALAXY
|
51
|
5.96
|
|
|
|
BZX55C12 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=11.412.7V (12V nom)@Iz=5 mA, tol=5%)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BZX55C12 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=11.412.7V (12V nom)@Iz=5 mA, tol=5%)
|
OTHER
|
|
|
|
|
|
BZX55C12 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=11.412.7V (12V nom)@Iz=5 mA, tol=5%)
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BZX55C12 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=11.412.7V (12V nom)@Iz=5 mA, tol=5%)
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
BZX55C12 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=11.412.7V (12V nom)@Iz=5 mA, tol=5%)
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
BZX55C12 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=11.412.7V (12V nom)@Iz=5 mA, tol=5%)
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BZX55C12 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=11.412.7V (12V nom)@Iz=5 mA, tol=5%)
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
BZX55C12 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=11.412.7V (12V nom)@Iz=5 mA, tol=5%)
|
PANJIT
|
2 123
|
2.08
|
|
|
|
BZX55C12 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=11.412.7V (12V nom)@Iz=5 mA, tol=5%)
|
HOTTECH
|
|
|
|
|
|
BZX55C12 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=11.412.7V (12V nom)@Iz=5 mA, tol=5%)
|
KLS
|
30 000
|
1.10
|
|
|
|
BZX55C12 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=11.412.7V (12V nom)@Iz=5 mA, tol=5%)
|
1
|
|
|
|
|
|
BZX55C15 |
|
Cтабилитрон универсальный Vz=13.815.6V (15V nom)@Iz=5 mA, tol=6%
|
|
52
|
1.28
|
|
|
|
BZX55C15 |
|
Cтабилитрон универсальный Vz=13.815.6V (15V nom)@Iz=5 mA, tol=6%
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BZX55C15 |
|
Cтабилитрон универсальный Vz=13.815.6V (15V nom)@Iz=5 mA, tol=6%
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
BZX55C15 |
|
Cтабилитрон универсальный Vz=13.815.6V (15V nom)@Iz=5 mA, tol=6%
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BZX55C15 |
|
Cтабилитрон универсальный Vz=13.815.6V (15V nom)@Iz=5 mA, tol=6%
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BZX55C15 |
|
Cтабилитрон универсальный Vz=13.815.6V (15V nom)@Iz=5 mA, tol=6%
|
OTHER
|
3 972
|
|
|
|
|
BZX55C15 |
|
Cтабилитрон универсальный Vz=13.815.6V (15V nom)@Iz=5 mA, tol=6%
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
BZX55C15 |
|
Cтабилитрон универсальный Vz=13.815.6V (15V nom)@Iz=5 mA, tol=6%
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
BZX55C15 |
|
Cтабилитрон универсальный Vz=13.815.6V (15V nom)@Iz=5 mA, tol=6%
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
BZX55C15 |
|
Cтабилитрон универсальный Vz=13.815.6V (15V nom)@Iz=5 mA, tol=6%
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BZX55C15 |
|
Cтабилитрон универсальный Vz=13.815.6V (15V nom)@Iz=5 mA, tol=6%
|
KINGTRONICS
|
|
|
|
|
|
BZX55C15 |
|
Cтабилитрон универсальный Vz=13.815.6V (15V nom)@Iz=5 mA, tol=6%
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
BZX55C15 |
|
Cтабилитрон универсальный Vz=13.815.6V (15V nom)@Iz=5 mA, tol=6%
|
PANJIT
|
754
|
2.08
|
|
|
|
BZX55C15 |
|
Cтабилитрон универсальный Vz=13.815.6V (15V nom)@Iz=5 mA, tol=6%
|
HOTTECH
|
|
|
|
|
|
BZX55C15 |
|
Cтабилитрон универсальный Vz=13.815.6V (15V nom)@Iz=5 mA, tol=6%
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
BZX55C15 |
|
Cтабилитрон универсальный Vz=13.815.6V (15V nom)@Iz=5 mA, tol=6%
|
KLS
|
|
|
|
|
|
BZX55C15 |
|
Cтабилитрон универсальный Vz=13.815.6V (15V nom)@Iz=5 mA, tol=6%
|
1
|
|
|
|
|
|
HER108 |
|
Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления
|
DIODES
|
|
|
|
|
|
HER108 |
|
Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления
|
MCC
|
|
|
|
|
|
HER108 |
|
Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления
|
|
29 491
|
1.28
|
|
|
|
HER108 |
|
Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления
|
WTE
|
|
|
|
|
|
HER108 |
|
Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
HER108 |
|
Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
HER108 |
|
Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления
|
MIC
|
4 514
|
1.20
|
|
|
|
HER108 |
|
Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
HER108 |
|
Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления
|
TAIWAN SEMICONDUCTOR MANF.
|
|
|
|
|
|
HER108 |
|
Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления
|
TAIWAN SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
HER108 |
|
Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
HER108 |
|
Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления
|
KINGTRONICS
|
|
|
|
|
|
HER108 |
|
Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления
|
SUNTAN
|
|
|
|
|
|
HER108 |
|
Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления
|
KLS
|
|
|
|
|
|
HER108 |
|
Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления
|
WUXI XUYANG
|
|
|
|
|
|
HER108 |
|
Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления
|
HOTTECH
|
|
|
|
|
|
HER108 |
|
Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления
|
YANGJIE
|
|
|
|
|
|
HER108 |
|
Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
HER108 |
|
Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления
|
YJ
|
120
|
2.95
|
|