STP10NK70ZFP

N-канальный MOSFET транзистор
Напряжение сток - исток 700В
Мощность 35Вт
Ток стока 8.6А (34А имп.)
Диапазон рабочих температур - 55 .... 150^оС

Версия для печати

Технические характеристики STP10NK70ZFP

FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Серия	SuperMESH™
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	850 mOhm @ 4.5A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	700V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	8.6A
Vgs(th) (Max) @ Id	4.5V @ 100µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	90nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	2000pF @ 25V
Power - Max	35W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-220FP
Корпус	TO-220FP

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

STP10NK70ZFP (MOSFET)

N-CHANNEL 700V - 0.75? - 8.6A - TO-220FP Zener-Protected SuperMESH™ MOSFET

Производитель:
STMicroelectronics

STP10NK70ZFP datasheet
275.9 Кб

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
HGTG30N60A4D	Модуль IGBT 600V + диод 600В	FAIR
HGTG30N60A4D	Модуль IGBT 600V + диод 600В	FSC
HGTG30N60A4D	Модуль IGBT 600V + диод 600В		1	694.80
HGTG30N60A4D	Модуль IGBT 600V + диод 600В	Fairchild Semiconductor
HGTG30N60A4D	Модуль IGBT 600V + диод 600В	США
HGTG30N60A4D	Модуль IGBT 600V + диод 600В	СОЕДИНЕННЫЕ ШТА
HGTG30N60A4D	Модуль IGBT 600V + диод 600В	FAIRCHILD
HGTG30N60A4D	Модуль IGBT 600V + диод 600В	FAIRCHILD
HGTG30N60A4D	Модуль IGBT 600V + диод 600В	ONS-FAIR
HGTG30N60A4D	Модуль IGBT 600V + диод 600В	ON SEMICONDUCTOR
HGTG30N60A4D	Модуль IGBT 600V + диод 600В	ONS
JF0925S2H-001C066R		JAMICON
LD7522PS		LD
LD7522PS			5	288.00
LD7522PS		СИНГАПУР
LD7522PS		LEADTREND
TEA1530AT		NXP
TEA1530AT				256.80
TEA1530AT				256.80
TZMC10	Стабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=10V, Izt-5mA			5.48