|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
1.5KE400CA |
|
Диод TVS двунаправленный вывод. рад. 1500Вт 400в
|
SEMICRON
|
|
|
|
|
|
1.5KE400CA |
|
Диод TVS двунаправленный вывод. рад. 1500Вт 400в
|
EIC
|
|
|
|
|
|
1.5KE400CA |
|
Диод TVS двунаправленный вывод. рад. 1500Вт 400в
|
DC COMPONENTS
|
2 322
|
25.48
|
|
|
|
1.5KE400CA |
|
Диод TVS двунаправленный вывод. рад. 1500Вт 400в
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
1.5KE400CA |
|
Диод TVS двунаправленный вывод. рад. 1500Вт 400в
|
SMK
|
|
|
|
|
|
1.5KE400CA |
|
Диод TVS двунаправленный вывод. рад. 1500Вт 400в
|
|
|
54.16
|
|
|
|
1.5KE400CA |
|
Диод TVS двунаправленный вывод. рад. 1500Вт 400в
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
1.5KE400CA |
|
Диод TVS двунаправленный вывод. рад. 1500Вт 400в
|
Littelfuse Inc
|
|
|
|
|
|
1.5KE400CA |
|
Диод TVS двунаправленный вывод. рад. 1500Вт 400в
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
1.5KE400CA |
|
Диод TVS двунаправленный вывод. рад. 1500Вт 400в
|
MIC
|
2 891
|
20.57
|
|
|
|
1.5KE400CA |
|
Диод TVS двунаправленный вывод. рад. 1500Вт 400в
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
1.5KE400CA |
|
Диод TVS двунаправленный вывод. рад. 1500Вт 400в
|
YJ
|
|
|
|
|
|
1.5KE400CA |
|
Диод TVS двунаправленный вывод. рад. 1500Вт 400в
|
LITTELFUSE
|
|
|
|
|
|
1.5KE400CA |
|
Диод TVS двунаправленный вывод. рад. 1500Вт 400в
|
KINGTRON
|
|
|
|
|
|
1.5KE400CA |
|
Диод TVS двунаправленный вывод. рад. 1500Вт 400в
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
12
|
|
|
|
|
1.5KE400CA |
|
Диод TVS двунаправленный вывод. рад. 1500Вт 400в
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
1.5KE400CA |
|
Диод TVS двунаправленный вывод. рад. 1500Вт 400в
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
1.5KE400CA |
|
Диод TVS двунаправленный вывод. рад. 1500Вт 400в
|
LTL
|
|
|
|
|
|
1.5KE400CA |
|
Диод TVS двунаправленный вывод. рад. 1500Вт 400в
|
MIG
|
|
|
|
|
|
1.5KE400CA |
|
Диод TVS двунаправленный вывод. рад. 1500Вт 400в
|
HOTTECH
|
|
|
|
|
|
1.5KE400CA |
|
Диод TVS двунаправленный вывод. рад. 1500Вт 400в
|
RECTIFIER
|
332
|
16.00
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
NXP
|
19 873
|
2.00
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
PANJIT
|
494
|
1.79
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
DC COMPONENTS
|
16 064
|
2.15
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
DIOTEC
|
1 324
|
1.46
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
MCC
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
GALAXY
|
24
|
10.82
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
FAIRCHILD
|
104
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
1 920
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
NXP
|
2 593
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
PANJIT
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
PHILIPS
|
21
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
INFINEON TECH
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
|
41 842
|
1.68
>100 шт. 0.84
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
FSC
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
ONS
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
NEXPERIA
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
LRC
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
HOTTECH
|
44 942
|
1.04
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
KLS
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
SEMTECH
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
YANGJIE
|
36 000
|
1.42
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
YJ
|
288 173
|
1.41
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
JSCJ
|
106 819
|
1.52
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
1
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
SUNTAN
|
45 316
|
1.49
|
|
|
|
E65 P-6501 КАРКАС |
|
|
EPCOS
|
|
|
|
|
|
E65 P-6501 КАРКАС |
|
|
|
|
138.24
|
|
|
|
E65 P-6501 КАРКАС |
|
|
SHINHOM
|
|
|
|
|
|
E65 P-6501 КАРКАС |
|
|
ЛЭПКОС, СПБ
|
|
|
|
|
|
E65 P-6501 КАРКАС |
|
|
ЛЭПКОС
|
|
|
|
|
|
E65/32/27 BBN 8+8 PIN КАРКАС |
|
|
|
|
|
|
|
|
E65/32/27 BBN 8+8 PIN КАРКАС |
|
|
SHINHOM
|
|
|
|
|
|
E65/32/27 BBN 8+8 PIN КАРКАС |
|
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
IRFD120 |
|
МОП-Транзистор, N-канальный, 100В, 1.3A, 1.3Вт
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRFD120 |
|
МОП-Транзистор, N-канальный, 100В, 1.3A, 1.3Вт
|
RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRFD120 |
|
МОП-Транзистор, N-канальный, 100В, 1.3A, 1.3Вт
|
VISHAY
|
232
|
73.57
|
|
|
|
IRFD120 |
|
МОП-Транзистор, N-канальный, 100В, 1.3A, 1.3Вт
|
|
19
|
93.60
|
|
|
|
IRFD120 |
|
МОП-Транзистор, N-канальный, 100В, 1.3A, 1.3Вт
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
5
|
|
|
|
|
IRFD120 |
|
МОП-Транзистор, N-канальный, 100В, 1.3A, 1.3Вт
|
Vishay/Siliconix
|
|
|
|
|
|
IRFD120 |
|
МОП-Транзистор, N-канальный, 100В, 1.3A, 1.3Вт
|
SILICONIX
|
20
|
|
|
|
|
IRFD120 |
|
МОП-Транзистор, N-канальный, 100В, 1.3A, 1.3Вт
|
ФИЛИППИНЫ
|
|
|
|
|
|
IRFD120 |
|
МОП-Транзистор, N-канальный, 100В, 1.3A, 1.3Вт
|
1
|
|
|
|