FQP30N06

Версия для печати

Технические характеристики FQP30N06

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	QFET™
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	40 mOhm @ 15A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	30A
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	25nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	945pF @ 25V
Power - Max	79W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-220-3
Корпус	TO-220

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

FQP30N06 (MOSFET)

60V N-Channel MOSFET

Производитель:
Fairchild Semiconductor

FQP30N06 datasheet
660.2 Кб

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
2SC5707	NPN транзистор широкого применения TO-251, 15Вт	SANYO	4	193.80
2SC5707	NPN транзистор широкого применения TO-251, 15Вт		1	121.20
2SC5707	NPN транзистор широкого применения TO-251, 15Вт	SAN
2SC5707	NPN транзистор широкого применения TO-251, 15Вт	ISCSEMI
2SC5707	NPN транзистор широкого применения TO-251, 15Вт	ISC	1 604	33.71
FQD17P06		FAIR
FQD17P06		FSC
FQD17P06
FQD17P06
FQP27P06		FAIR
FQP27P06		Fairchild Semiconductor
FQP27P06
FQP27P06		FSC
FQP27P06		ONS
FQP27P06		ONS-FAIR
TDA7293V	ИМС УНЧ 100Вт, МОНО, MULTIWATT	ST MICROELECTRONICS
TDA7293V	ИМС УНЧ 100Вт, МОНО, MULTIWATT		2	936.00
TDA7293V	ИМС УНЧ 100Вт, МОНО, MULTIWATT	ST MICROELECTRONICS SEMI
TDA7293V	ИМС УНЧ 100Вт, МОНО, MULTIWATT	STMicroelectronics
TDA7293V	ИМС УНЧ 100Вт, МОНО, MULTIWATT	МАРОККО
TDA7293V	ИМС УНЧ 100Вт, МОНО, MULTIWATT	ST1
TDA7293V	ИМС УНЧ 100Вт, МОНО, MULTIWATT	ST MICROELECTRO
TDA7293V	ИМС УНЧ 100Вт, МОНО, MULTIWATT	1
СВЕРЛО 5.0 ММ
СВЕРЛО 5.0 ММ