BFP420
СВЧ 4.5V 35mA 160mW 25GHz
|
|
Версия для печати
| Корпус | PG-SOT343-4 |
| Корпус (размер) | SC-82A, SOT-343 |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 35mA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 60 @ 20mA, 4V |
| Power - Max | 160mW |
| Gain | 21dB |
| Noise Figure (dB Typ @ f) | 1.1dB @ 1.8GHz |
| Frequency - Transition | 25GHz |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 5V |
| Transistor Type | NPN |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
BFP420 NPN Silicon RF Transistor (For high gain low noise amplifiers For oscillators up to 10 GHz)
Производитель:
|
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
3314J-1-503E |
|
Подстроечный резистор 50 кОм | BOURNS |
|
|
||
|
|
3314J-1-503E |
|
Подстроечный резистор 50 кОм | Bourns Inc |
|
|
||
|
|
3314J-1-503E |
|
Подстроечный резистор 50 кОм |
|
|
|||
| 3314R-1-501E | BOURNS |
|
|
|||||
| 3314R-1-501E | Bourns Inc |
|
|
|||||
| 3314R-1-501E |
|
|
||||||
| BCR402RE6327 | INFINEON |
|
|
|||||
| BCR402RE6327 | INFINEON | 532 |
|
|||||
| BCR402RE6327 | Infineon Technologies |
|
|
|||||
| BCR402RE6327 |
|
|
||||||
 |
 |
LQH43MN102K03L |
|
Катушка индуктивности SMD , неэкранированная , 1000мкГн, 50мА, 10% | CHINA |
|
|
|
|
|
|
LQH43MN102K03L |
|
Катушка индуктивности SMD , неэкранированная , 1000мкГн, 50мА, 10% |
|
134.96 | ||
|
|
|
LQH43MN102K03L |
|
Катушка индуктивности SMD , неэкранированная , 1000мкГн, 50мА, 10% | MUR |
|
|
|
|
|
|
LQH43MN102K03L |
|
Катушка индуктивности SMD , неэкранированная , 1000мкГн, 50мА, 10% | MURATA | 200 | 20.27 | |
| SR540 (SR504) (5A 40V) |
|
|
