FQD2N60CTM

MOSFET N-CH 600V 1.9A DPAK

Версия для печати

Технические характеристики FQD2N60CTM

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Product Change Notification	Lead Dimension Change 23/Jan/2007 Passivation Material Change 14/May/
Серия	QFET™
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4.7 Ohm @ 950mA, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	600V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	1.9A
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	12nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	235pF @ 25V
Power - Max	2.5W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Корпус	D-Pak

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

FQD2N60CTM datasheet