МЛТ - 1 ВТ 680 ОМ 5%
|
|
Версия для печати
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
 |
74HC4538N,652 |
|
NXP Semiconductors |
|
|
||
|
|
|
74HC4538N,652 |
|
NXP |
|
|
||
|
|
|
74HC4538N,652 |
|
NEX |
|
|
||
|
|
LF356N |
|
1xOP JFET +-18V LN 12V/us DIP8 | ST MICROELECTRONICS | 26 | 112.20 | ||
|
|
LF356N |
|
1xOP JFET +-18V LN 12V/us DIP8 | NATIONAL SEMICONDUCTOR |
|
|
||
|
|
LF356N |
|
1xOP JFET +-18V LN 12V/us DIP8 | 1 | 154.80 | |||
|
|
LF356N |
|
1xOP JFET +-18V LN 12V/us DIP8 | NSC |
|
|
||
|
|
LF356N |
|
1xOP JFET +-18V LN 12V/us DIP8 | NATIONAL SEMICONDUCTOR |
|
|
||
|
|
LF356N |
|
1xOP JFET +-18V LN 12V/us DIP8 | TEXAS INSTRUMENTS |
|
|
||
|
|
LF356N |
|
1xOP JFET +-18V LN 12V/us DIP8 | TEXAS |
|
|
||
|
|
LF356N |
|
1xOP JFET +-18V LN 12V/us DIP8 | 1 |
|
|
||
| MF-0.25-2.2 1% | CHINA |
|
|
|||||
| MF-0.25-2.2 1% | 104 | 2.80 | ||||||
| SS025M0010B1F-0407 |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 10 мкФ 25 В | YAGEO |
|
|
|||
| SS025M0010B1F-0407 |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 10 мкФ 25 В | ТАЙВАНЬ (КИТАЙ) |
|
|
|||
| SS025M0010B1F-0407 |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 10 мкФ 25 В | ТАЙВАНЬ(КИТАЙ) |
|
|
|||
| SS025M0010B1F-0407 |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 10 мкФ 25 В |
|
|
||||
| МЛТ - 1 ВТ 430 КОМ 5% | 688 | 3.20 |
