КП707Г1

Версия для печати

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
К145АП2	Микросхема управления в корпусе ШР-16,15 В, ток не более 2 мА		2	24.64
К145АП2	Микросхема управления в корпусе ШР-16,15 В, ток не более 2 мА	СВЕТЛАНА	684	20.00
К145АП2	Микросхема управления в корпусе ШР-16,15 В, ток не более 2 мА	RUS
КП508А	Кремниевые полевые P-канальные транзисторы средней мощности с изолированным затвором и ...			32.00
КП508А	Кремниевые полевые P-канальные транзисторы средней мощности с изолированным затвором и ...	МИНСК	2 201	32.00
КП508А	Кремниевые полевые P-канальные транзисторы средней мощности с изолированным затвором и ...	ИНТЕГРАЛ
КТ6116Б
КТ6116Б		МИНСК
КТ6116Б
КТ6116Б		ИНТЕГРАЛ	800	12.24
КТ9115А	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный		310	46.80
КТ9115А	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	КРЕМНИЙ	532	33.15
КТ9115А	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	БРЯНСК	6 088	32.00
КТ973Б	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный		2 348	28.88
КТ973Б	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	МИНСК	2 032	38.00
КТ973Б	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	ТРАНЗИСТОР
КТ973Б	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	ЗПП МИНСК
КТ973Б	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	ИНТЕГРАЛ
КТ973Б	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	ИНТЕГРАЛ-С
КТ973Б	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	RUS
КТ973Б	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	ЭКСИТОН
КТ973Б	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	VBYCR