SI1025X-T1-E3


Купить SI1025X-T1-E3 ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
SI1025X-T1-E3
Название (производитель) Доступно для заказа Цена, руб.,без НДС Купить
SI1025X-T1-E3 (SILICONIX.) 306 3-4 недели
Цена по запросу

Версия для печати

Технические характеристики SI1025X-T1-E3

Rds On (Max) @ Id, Vgs4 Ohm @ 500mA, 10V
FET FeatureLogic Level Gate
FET Type2 P-Channel (Dual)
СерияTrenchFET®
Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
Drain to Source Voltage (Vdss)60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C190mA
Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs1.7nC @ 15V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds23pF @ 25V
Power - Max250mW
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)SOT-563
КорпусSC-89-6
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход