HIP2100IBZ
|
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Конфигурация | Half Bridge |
| Тип входа | PWM |
| Время задержки | 20ns |
| Ток пиковое значение | 2A |
| Число конфигураций | 1 |
| Число выходов | 2 |
| Высокое Побочное Напряжение - Максимальная (Начальная загрузка) | 114V |
| Напряжение питания | 9 V ~ 14 V |
| Рабочая температура | -40°C ~ 125°C |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Корпус | 8-SOIC |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
 |
IRFI4212H-117P |
|
Hexfet power mosfets dual n-channel | INTERNATIONAL RECTIFIER |
|
|
|
|
|
|
IRFI4212H-117P |
|
Hexfet power mosfets dual n-channel |
|
121.56 | ||
|
|
|
IRFI4212H-117P |
|
Hexfet power mosfets dual n-channel | INFINEON | 150 | 104.00 |
