TOP223PN
Интегральный преобразователь Uвх 100/110VAC Pвых 25W Umax 700V Imax 1,0A
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Серия | TOPSwitch®-II |
| Изоляция выхода | Isolated |
| Частотный диапозон | 90 ~ 110kHz |
| Напряжение выходное | 700V |
| Мощность (Ватт) | 25W |
| Рабочая температура | -40°C ~ 150°C |
| Корпус (размер) | 8-DIP (0.300", 7.62mm) |
| Корпус | 8-DIP |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 293D106X9050D2TE3 | VISHAY | 400 | 82.66 | |||||
| 293D106X9050D2TE3 | SPRAGUE |
|
|
|||||
| 293D106X9050D2TE3 |
|
|
||||||
 |
 |
IRG4PC50WPBF |
|
Транзистор IGBT модуль единичный 600V, 55A, 200W (WARP 60-150kHz) | INTERNATIONAL RECTIFIER |
|
|
|
|
|
|
IRG4PC50WPBF |
|
Транзистор IGBT модуль единичный 600V, 55A, 200W (WARP 60-150kHz) | INFINEON |
|
|
|
|
|
|
IRG4PC50WPBF |
|
Транзистор IGBT модуль единичный 600V, 55A, 200W (WARP 60-150kHz) |
|
|
||
| MJD122T4G | ON SEMICONDUCTOR |
|
|
|||||
| MJD122T4G | ONS |
|
|
|||||
| MJD122T4G | ON SEMICONDUCTOR |
|
|
|||||
| MJD122T4G |
|
|
||||||
| NCP1203P60G | ON SEMICONDUCTOR |
|
|
|||||
| NCP1203P60G |
|
213.68 | ||||||
| NCP1203P60G | ONS | 40 | 126.00 | |||||
| NCP1203P60G | ON SEMICONDUCTO |
|
|
|||||
| SY035M0100B3F-0811 |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 100 мкФ 35 В | YAGEO |
|
|
|||
| SY035M0100B3F-0811 |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 100 мкФ 35 В |
|
|
