Версия для печати
Технические характеристики TOP223PN

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	TOPSwitch®-II
Изоляция выхода	Isolated
Частотный диапозон	90 ~ 110kHz
Напряжение выходное	700V
Мощность (Ватт)	25W
Рабочая температура	-40°C ~ 150°C
Корпус (размер)	8-DIP (0.300", 7.62mm)
Корпус	8-DIP

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Микросхемы

 » 

Питание

 » 

AC/DC конверторы

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		1.5KE27CA		Диод TVS двунаправленный вывод. рад. 1500Вт 27в	SEMICRON
		1.5KE27CA		Диод TVS двунаправленный вывод. рад. 1500Вт 27в	SMK
		1.5KE27CA		Диод TVS двунаправленный вывод. рад. 1500Вт 27в	GENERAL SEMICONDUCTOR
		1.5KE27CA		Диод TVS двунаправленный вывод. рад. 1500Вт 27в	DC COMPONENTS	23 281	12.32
		1.5KE27CA		Диод TVS двунаправленный вывод. рад. 1500Вт 27в		6 080	6.40
		1.5KE27CA		Диод TVS двунаправленный вывод. рад. 1500Вт 27в	GENERAL SEMICONDUCTOR
		1.5KE27CA		Диод TVS двунаправленный вывод. рад. 1500Вт 27в	Littelfuse Inc
		1.5KE27CA		Диод TVS двунаправленный вывод. рад. 1500Вт 27в	DIOTEC
		1.5KE27CA		Диод TVS двунаправленный вывод. рад. 1500Вт 27в	LTL
		1.5KE27CA		Диод TVS двунаправленный вывод. рад. 1500Вт 27в	LITTELFUSE	17
		1.5KE27CA		Диод TVS двунаправленный вывод. рад. 1500Вт 27в	MIG
		1.5KE27CA		Диод TVS двунаправленный вывод. рад. 1500Вт 27в	1
		1.5KE30CA		Диод TVS двунаправленный вывод. рад. 1500Вт 30в	SEMICRON
		1.5KE30CA		Диод TVS двунаправленный вывод. рад. 1500Вт 30в	SMK
		1.5KE30CA		Диод TVS двунаправленный вывод. рад. 1500Вт 30в	ST MICROELECTRONICS	1 840	40.73
		1.5KE30CA		Диод TVS двунаправленный вывод. рад. 1500Вт 30в	DC COMPONENTS	1 782	14.13
		1.5KE30CA		Диод TVS двунаправленный вывод. рад. 1500Вт 30в	GENERAL SEMICONDUCTOR
		1.5KE30CA		Диод TVS двунаправленный вывод. рад. 1500Вт 30в	EIC
		1.5KE30CA		Диод TVS двунаправленный вывод. рад. 1500Вт 30в		5 677	7.11
		1.5KE30CA		Диод TVS двунаправленный вывод. рад. 1500Вт 30в	Littelfuse Inc
		1.5KE30CA		Диод TVS двунаправленный вывод. рад. 1500Вт 30в	КИТАЙ
		1.5KE30CA		Диод TVS двунаправленный вывод. рад. 1500Вт 30в	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		1.5KE30CA		Диод TVS двунаправленный вывод. рад. 1500Вт 30в	LTL
		1.5KE30CA		Диод TVS двунаправленный вывод. рад. 1500Вт 30в	YJ	1 860	11.12
		1.5KE30CA		Диод TVS двунаправленный вывод. рад. 1500Вт 30в	LITTELFUSE	1 908	25.26
		1.5KE30CA		Диод TVS двунаправленный вывод. рад. 1500Вт 30в	STMICROELECTR
		1.5KE30CA		Диод TVS двунаправленный вывод. рад. 1500Вт 30в	HOTTECH	2 533	16.26
		1.5KE30CA		Диод TVS двунаправленный вывод. рад. 1500Вт 30в	1
		IRG4PC50WPBF		Транзистор IGBT модуль единичный 600V, 55A, 200W (WARP 60-150kHz)	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRG4PC50WPBF		Транзистор IGBT модуль единичный 600V, 55A, 200W (WARP 60-150kHz)	INFINEON
		IRG4PC50WPBF		Транзистор IGBT модуль единичный 600V, 55A, 200W (WARP 60-150kHz)
		MMBTA42LT1G		Транзистор NPN (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C), Pb-free.	ON SEMICONDUCTOR
		MMBTA42LT1G		Транзистор NPN (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C), Pb-free.	ONS	41 676	4.36
		MMBTA42LT1G		Транзистор NPN (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C), Pb-free.	ON SEMICONDUCTOR	160
		MMBTA42LT1G		Транзистор NPN (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C), Pb-free.	ON SEMICONDUCTO
		MMBTA42LT1G		Транзистор NPN (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C), Pb-free.	ONSEMICONDUCTOR
		MMBTA42LT1G		Транзистор NPN (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C), Pb-free.		47 936	2.03
		MMBTA92LT1G		Транзистор PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C)	ON SEMICONDUCTOR	12	2.48
		MMBTA92LT1G		Транзистор PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C)	ONS	42 376	5.01
		MMBTA92LT1G		Транзистор PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C)			7.20
		MMBTA92LT1G		Транзистор PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C)	ON SEMICONDUCTOR	1 003
		MMBTA92LT1G		Транзистор PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C)	GALAXY
		MMBTA92LT1G		Транзистор PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C)	ON SEMICONDUCTO
		MMBTA92LT1G		Транзистор PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C)	ONSEMICONDUCTOR
		MMBTA92LT1G		Транзистор PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C)	0.00

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"