Версия для печати
Технические характеристики CD4504BM

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	4000B
Логическая функция	Level Shifter
Бит	6
Тип входа	CMOS/TTL
Тип выхода	CMOS
Output Type	CMOS
Количество каналов	6
Выходов на канал	1
Differential - Input:Output	No/No
Propagation Delay (Max)	140ns
Напряжение питания	5 V ~ 18 V
Рабочая температура	-55°C ~ 125°C
Корпус (размер)	16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Корпус	16-SOIC N

CD4504BM datasheet

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Микросхемы

 » 

Логические элементы

 » 

Трансляторы

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		HEF4050BT		Стандартная логика HEX BUFFER/CONVERTERS NON-INVERTING TYPE -40/+85	NXP
		HEF4050BT		Стандартная логика HEX BUFFER/CONVERTERS NON-INVERTING TYPE -40/+85		33	46.80
		HEF4050BT		Стандартная логика HEX BUFFER/CONVERTERS NON-INVERTING TYPE -40/+85		33	46.80
		KBU8M		Диодный мост, Тип моста однофазный, IF(AV) = 8 A, VDC,В = 1000, VF,В =1, IR	DC COMPONENTS	1 756	61.85
		KBU8M		Диодный мост, Тип моста однофазный, IF(AV) = 8 A, VDC,В = 1000, VF,В =1, IR	FAIR
		KBU8M		Диодный мост, Тип моста однофазный, IF(AV) = 8 A, VDC,В = 1000, VF,В =1, IR	GENERAL SEMICONDUCTOR
		KBU8M		Диодный мост, Тип моста однофазный, IF(AV) = 8 A, VDC,В = 1000, VF,В =1, IR			60.44
		KBU8M		Диодный мост, Тип моста однофазный, IF(AV) = 8 A, VDC,В = 1000, VF,В =1, IR	MASTER INSTRUMENT CO
		KBU8M		Диодный мост, Тип моста однофазный, IF(AV) = 8 A, VDC,В = 1000, VF,В =1, IR	FAIRCHILD
		KBU8M		Диодный мост, Тип моста однофазный, IF(AV) = 8 A, VDC,В = 1000, VF,В =1, IR	MIC
		KBU8M		Диодный мост, Тип моста однофазный, IF(AV) = 8 A, VDC,В = 1000, VF,В =1, IR	FAIRCHILD
		KBU8M		Диодный мост, Тип моста однофазный, IF(AV) = 8 A, VDC,В = 1000, VF,В =1, IR	GENERAL SEMICONDUCTOR
		KBU8M		Диодный мост, Тип моста однофазный, IF(AV) = 8 A, VDC,В = 1000, VF,В =1, IR	GALAXY
		KBU8M		Диодный мост, Тип моста однофазный, IF(AV) = 8 A, VDC,В = 1000, VF,В =1, IR	Fairchild Semiconductor
		KBU8M		Диодный мост, Тип моста однофазный, IF(AV) = 8 A, VDC,В = 1000, VF,В =1, IR	КИТАЙ
		KBU8M		Диодный мост, Тип моста однофазный, IF(AV) = 8 A, VDC,В = 1000, VF,В =1, IR	YJ	9 953	34.51
		KBU8M		Диодный мост, Тип моста однофазный, IF(AV) = 8 A, VDC,В = 1000, VF,В =1, IR	GALAXY ME
		KBU8M		Диодный мост, Тип моста однофазный, IF(AV) = 8 A, VDC,В = 1000, VF,В =1, IR	HOTTECH	1 077	31.64
		KBU8M		Диодный мост, Тип моста однофазный, IF(AV) = 8 A, VDC,В = 1000, VF,В =1, IR	PANJIT
		KBU8M		Диодный мост, Тип моста однофазный, IF(AV) = 8 A, VDC,В = 1000, VF,В =1, IR	YANGJIE	1 280	30.40
		KBU8M		Диодный мост, Тип моста однофазный, IF(AV) = 8 A, VDC,В = 1000, VF,В =1, IR	RUME	6 400	22.33
		MAX5035AASA			MAXIM
		MAX5035AASA					1 040.00
		MAX5035AASA			MAX
		STGB10NB37LZ		IGBT-транзистор 10 а, 410 в, внутренне-замкнутый	ST MICROELECTRONICS
		STGB10NB37LZ		IGBT-транзистор 10 а, 410 в, внутренне-замкнутый		4	340.00
		STGB10NB37LZ		IGBT-транзистор 10 а, 410 в, внутренне-замкнутый	ST MICROELECTRONICS SEMI
		STGB10NB37LZ		IGBT-транзистор 10 а, 410 в, внутренне-замкнутый	STMicroelectronics
		STGB10NB37LZ		IGBT-транзистор 10 а, 410 в, внутренне-замкнутый	КИТАЙ
		STGB10NB37LZ		IGBT-транзистор 10 а, 410 в, внутренне-замкнутый	ST MICROELECTRO
		ULN2004A		ИМС 7xСОСтабилизатор ТРАНЗ. 50В, 0,5A, TTL/CMOS	ALLEGRO
		ULN2004A		ИМС 7xСОСтабилизатор ТРАНЗ. 50В, 0,5A, TTL/CMOS	ST MICROELECTRONICS	68	50.76
		ULN2004A		ИМС 7xСОСтабилизатор ТРАНЗ. 50В, 0,5A, TTL/CMOS		126	40.48
		ULN2004A		ИМС 7xСОСтабилизатор ТРАНЗ. 50В, 0,5A, TTL/CMOS	ALLEGRO
		ULN2004A		ИМС 7xСОСтабилизатор ТРАНЗ. 50В, 0,5A, TTL/CMOS	STMicroelectronics
		ULN2004A		ИМС 7xСОСтабилизатор ТРАНЗ. 50В, 0,5A, TTL/CMOS	ALLEGRO MICROSYSTEMS INC	15
		ULN2004A		ИМС 7xСОСтабилизатор ТРАНЗ. 50В, 0,5A, TTL/CMOS	ST MICROELECTRONICS SEMI
		ULN2004A		ИМС 7xСОСтабилизатор ТРАНЗ. 50В, 0,5A, TTL/CMOS	MOTOROLA
		ULN2004A		ИМС 7xСОСтабилизатор ТРАНЗ. 50В, 0,5A, TTL/CMOS	TOSHIBA

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2024 АО "Контест"